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参数资料
| 型号： | IXTV96N25T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 96A PLUS220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 96A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 29 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 114nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 625W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3（SMT）标片 |
| 供应商设备封装： | PLUS220 |
| 包装： | 管件 |
Preliminary Technical Information
TrenchHV TM
Power MOSFET
IXTH96N25T
IXTQ96N25T
IXTV96N25T
V DSS
I D25
R DS(on)
= 250V
= 96A
≤ 29m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
TO-247 (IXTH)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
T J = 25°C to 150°C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
250
250
V
V
G
D
S
(TAB)
V GSM
I D25
I LRMS
I DM
Transient
T C = 25°C
Lead Current Limit, RMS
T C = 25°C, pulse width limited by T JM
± 30
96
75
250
V
A
A
A
TO-3P (IXTQ)
I AS
E AS
P D
T C = 25°C
T C = 25°C
T C = 25°C
5
2
625
A
J
W
G
D
S
(TAB)
T J
-55 ... +150
°C
T JM
T stg
150
-55 ... +150
°C
°C
PLUS220 (IXTV)
T L
T SOLD
1.6mm (0.062 in.) from case for 10s
Plastic body for 10 seconds
300
260
°C
°C
M d
F C
Weight
Mounting torque (TO-247 & TO-3P)
Mounting force (PLUS220)
TO-247
TO-3P
1.13 / 10
11..65 / 2.5..14.6
6.0
5.5
Nm/lb.in.
N/lb.
g
g
G
G = Gate
S = Source
D
S
D = Drain
TAB = Drain
(TAB)
PLUS220
4.0
g
Features
International standard packages
Avalanche rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Symbol Test Conditions
(T J = 25°C unless otherwise specified)
BV DSS V GS = 0V, I D = 250 μ A
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
250
V
Advantages
Easy to mount
Space savings
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 1mA
3
5
V
High power density
I GSS
V GS = ± 20V, V DS = 0V
± 200 nA
I DSS
V DS = V DSS
V GS = 0V
T J = 125°C
5 μ A
250 μ A
Applications
DC-DC converters
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Notes 1, 2
29 m Ω
Battery chargers
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
DC choppers
AC motor control
Uninterruptible power supplies
? 2007 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99863(09/07 )
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTX110N20L2 | MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247 |
| IXTX17N120L | MOSFET N-CH 1200V 17A PLUS247 |
| IXTX24N100 | MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247 |
| IXTX90N25L2 | MOSFET N-CH 90A 250V PLUS247 |
| IXTY08N100D2 | MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTV98N20T | 功能描述:MOSFET 98 Amps 200V 26 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTX110N20L2 | 功能描述:MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 110A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTX120P20T | 功能描述:MOSFET TrenchP Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTX170P10P | 功能描述:MOSFET -170.0 Amps -100V 0.012 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTX17N120L | 功能描述:MOSFET 17 Amps 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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