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参数资料
| 型号： | IXTV96N25T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 96A PLUS220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 96A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 29 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 114nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 625W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3（SMT）标片 |
| 供应商设备封装： | PLUS220 |
| 包装： | 管件 |
IXTH96N25T IXTQ96N25T
IXTV96N25T
140
Fig. 7. Input Admittance
130
Fig. 8. Transconductance
120
T J = - 40oC
120
110
100
100
90
25oC
80
T J = 125oC
25oC
- 40oC
80
70
60
40
20
0
60
50
40
30
20
10
0
125oC
3.4
3.8
4.2
4.6
5
5.4
5.8
6.2
6.6
0
20
40
60
80
100
120
140
160
200
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
180
160
140
120
100
9
8
7
6
5
V DS = 125V
I D = 25A
I G = 10mA
80
60
40
20
0
T J = 125oC
T J = 25oC
4
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
10,000
1,000
100
10
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Ciss
Coss
Crss
1.00
0.10
0.01
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Pulse Width - Seconds
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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