- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录465 > IXTX90N25L2 (IXYS)MOSFET N-CH 90A 250V PLUS247 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXTX90N25L2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 90A 250V PLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Linear L2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 90A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 33 毫欧 @ 45A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 3mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 640nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 23000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 960W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | PLUS247?-3 |
| 包装： | 管件 |
IXTK90N25L2
IXTX90N25L2
160
Fig. 7. Input Admittance
120
Fig. 8. Transconductance
140
120
110
100
90
T J = - 40oC
25oC
100
80
T J = 125oC
25oC
- 40oC
80
70
60
125oC
50
60
40
40
30
20
20
10
0
0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
0
20
40
60
80
100
120
140
280
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
16
V DS = 125V
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
240
200
14
12
I D = 45A
I G = 10mA
10
160
8
120
6
80
40
0
T J = 125oC
T J = 25oC
4
2
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
100,000
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1.000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
10,000
1,000
100
Ciss
Coss
Crss
0.100
0.010
0.001
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Pulse Width - Seconds
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTY08N100D2 | MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK |
| IXTY08N100P | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252 |
| IXTY08N50D2 | MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK |
| IXTY1N80P | MOSFET N-CH 800V 1A TO-252 |
| IXTY1N80 | MOSFET N-CH 800V 750MA TO-252AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTX90P20P | 功能描述:MOSFET -90.0 Amps -200V 0.044 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY 01N100D | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-252AA 制造商:Ixys Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-252AA |
| IXTY01N100 | 功能描述:MOSFET 0.1 Amps 1000V 80 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY01N100D | 功能描述:MOSFET MOSFET N-CH DEPLETN 1000V 100MA TO-25 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY01N80 | 功能描述:MOSFET 0.1 Amps 800V 50 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。