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参数资料
| 型号： | IXTY1N80P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 1A TO-252 |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | Polar™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 250pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 42W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 管件 |
Preliminary Technical Information
Polar TM Power
MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
IXTA1N80P
IXTP1N80P
IXTU1N80P
IXTY1N80P
V DSS
I D25
R DS(on)
= 800V
= 1A
≤ 14 Ω
Avalanche Rated
TO-263 (IXTA)
TO-220 (IXTP)
TO-251 (IXTU)
G
S
(TAB)
G
D S
(TAB)
G
D
S
(TAB)
Symbol
V DSS
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
Maximum Ratings
800
V
TO-252 (IXTY)
V DGR
V GSS
V GSM
I D25
I DM
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
800
± 20
± 30
1
2
V
V
V
A
A
G = Gate
S = Source
G
S
(TAB)
D = Drain
TAB = Drain
I A
E AS
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
1
75
A
mJ
dV/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
T C = 25 ° C
1.6mm (0.062) from Case for 10s
5
42
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
Features
International Standard Packages
Fast Intrinsic Rectifier
Avalanche Rated
Low Package Inductance
Advantages
T SOLD
M d
Weight
Plastic Body for 10s
Mounting Torque
TO-263
TO-220
TO-252
TO-251
(TO-220)
260
1.13 / 10
2.50
3.00
0.35
0.40
° C
Nm/lb.in.
g
g
g
g
Easy to Mount
Space Savings
High Power Density
Applications
Switched-Mode and Resonant-Mode
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
BV DSS V GS = 0V, I D = 250 μ A
V GS(th) V DS = V GS , I D = 50 μ A
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
800 V
2.0 4.0 V
Power Supplies
DC-DC Converters
Laser Drivers
AC and DC Motor Drives
Robotics and Servo Controls
I GSS
V GS = ± 20V, V DS = 0V
± 100 nA
I DSS
V DS = V DSS
V GS = 0V
T J = 125 ° C
3 μ A
30 μ A
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
10
14
Ω
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100112(02/09)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTY1N80 | MOSFET N-CH 800V 750MA TO-252AA |
| IXTY1R6N100D2 | MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK |
| IXTY2N60P | MOSFET N-CH 600V 2A D-PAK |
| IXTY4N60P | MOSFET N-CH TO-252 |
| IXTY55N075T | MOSFET N-CH 75V 55A TO-252 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTY1R4N100P | 功能描述:MOSFET 1.4 Amps 1000V 11 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY1R4N120P | 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IXTY1R4N60P | 功能描述:MOSFET 1.4 Amps 600 V 8 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY1R4N60PTRL | 制造商:IXYS Corporation 功能描述: |
| IXTY1R6N100D2 | 功能描述:MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 1.6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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