参数资料
型号: IXTY1N80P
厂商: IXYS
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 800V 1A TO-252
标准包装: 75
系列: Polar™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 1A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 14 欧姆 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 50µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 9nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 250pF @ 25V
功率 - 最大: 42W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: TO-252,(D-Pak)
包装: 管件
IXTA1N80P
IXTU1N80P
IXTP1N80P
IXTY1N80P
1.0
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
1.8
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
V GS = 10V
8V
7V
6V
1.6
1.4
1.2
1.0
V GS = 10V
8V
7V
6V
0.8
0.4
0.3
5V
0.6
0.2
0.1
0.0
0.4
0.2
0.0
5V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
0
5
10
15
20
25
30
1.0
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
3.0
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 0.5A Value
vs. Junction Temperature
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
V GS = 10V
7V
6V
5V
2.8
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
V GS = 10V
I D = 1A
I D = 0.5A
0.8
0.1
0.0
0.6
0.4
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.8
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 0.5A Value
vs. Drain Current
1.1
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.6
2.4
2.2
2.0
V GS = 10V
T J = 125oC
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
1.8
0.5
1.6
1.4
0.4
0.3
1.2
1.0
0.8
T J = 25oC
0.2
0.1
0.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
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