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参数资料
| 型号： | IXTY64N055T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 64A TO-252 |
| 产品目录绘图： | TO-252(AA), DPAK-2 Package |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 64A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 37nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1420pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 130W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 管件 |
Preliminary Technical Information
TrenchMV TM
Power MOSFET
IXTP64N055T
IXTY64N055T
V DSS =
I D25 =
R DS(on) ≤
55 V
64 A
13 m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
TO-220 (IXTP)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
G
D S
D (TAB)
V DSS
V DGR
V GSM
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C; R GS = 1 M Ω
Transient
55
55
± 20
V
V
V
TO-252 (IXTY)
I D25
I L
I DM
I AR
E AS
T C = 25 ° C
Package Current Limit, RMS TO-252
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
64
25
170
10
250
A
A
A
A
mJ
G
G = Gate
S = Source
S
D (TAB)
D = Drain
TAB = Drain
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS
T J ≤ 175 ° C, R G = 18 Ω
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 seconds
3
130
-55 ... +175
175
-55 ... +175
300
260
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
° C
Features
Ultra-low On Resistance
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
175 ° C Operating Temperature
Advantages
Easy to mount
M d
Mounting torque (TO-220)
1.13 / 10 Nm/lb.in.
Space savings
Weight
TO-220
TO-252
3
0.35
g
g
High power density
Applications
Automotive
- Motor Drives
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
- High Side Switch
- 12V Battery
- ABS Systems
BV DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
55
V
DC/DC Converters and Off-line UPS
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 25 μ A
V GS = ± 20 V, V DS = 0 V
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
2.0
4.0
± 100
1
100
V
nA
μ A
μ A
Primary- Side Switch
High Current Switching
Applications
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25 , Notes 1, 2
13
m Ω
DS99498 (11/06)
? 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P1Z9AAR900W26 | DIODE MOD PWR-BRIK DL 2600V 590A |
| FXO-HC736R-150 | OSC 150 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTYH21N50 | 制造商:IXYCOR 功能描述: |
| IXTZ550N055T2 | 功能描述:MOSFET 550Amps 55V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXUC100N055 | 功能描述:MOSFET 100 Amps 55V 6.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXUC120N10 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N ISOPLUS220 |
| IXUC160N075 | 功能描述:MOSFET 160 Amps 75V 5.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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