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参数资料
| 型号： | IXTY64N055T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 64A TO-252 |
| 产品目录绘图： | TO-252(AA), DPAK-2 Package |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 64A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 37nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1420pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 130W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 管件 |
IXTP64N055T
IXTY64N055T
65
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
200
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
180
160
140
120
100
80
60
40
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
10
5
0
5V
20
0
5V
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
65
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150oC
2.4
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 32A Value
vs. Junction Temperature
60
55
50
45
V GS = 10V
9V
8V
2.2
2
1.8
V GS = 10V
40
35
30
25
20
15
10
5
0
7V
6V
5V
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
I D = 64A
I D = 32A
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
3.4
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 32A Value
vs. Drain Current
70
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
3.2
V GS = 10V
3
15V - - - -
T J = 175oC
60
2.8
2.6
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
T J = 25oC
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
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PDF描述 |
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参数描述 |
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