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参数资料
| 型号： | IXTY64N055T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 64A TO-252 |
| 产品目录绘图： | TO-252(AA), DPAK-2 Package |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 64A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 37nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1420pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 130W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 管件 |
IXTP64N055T
IXTY64N055T
80
Fig. 7. Input Admittance
40
Fig. 8. Transconductance
70
60
50
T J = - 40oC
25oC
150oC
35
30
25
T J = - 40oC
25oC
150oC
40
30
20
10
0
20
15
10
5
0
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
140
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 27.5V
120
100
80
60
T J = 150oC
8
7
6
5
4
I D = 10A
I G = 1mA
40
T J = 25oC
3
2
20
1
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10,000
1,000
100
10
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Ciss
Coss
Crss
10.00
1.00
0.10
0.01
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Pulse Width - Seconds
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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