- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录176112 > IXXH75N60C3D1 (IXYS CORP) 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IXXH75N60C3D1 |
| 厂商： | IXYS CORP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| 封装： | TO-247AD, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 188K |
| 代理商： | IXXH75N60C3D1 |
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXXH75N60C3D1
Fig. 11. Maximum Transient Thermal Impedance
0.001
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
Z
(th)J
C
-C
/W
Fig. 11. Maximum Transient Thermal Impedance
aasss
0.4
Fig. 7. Transconductance
0
10
20
30
40
50
0
20
40
60
80
100
120
IC - Amperes
g
fs
-
S
iem
ens
TJ = - 40C, 25C, 150C
Fig. 10. Reverse-Bias Safe Operating Area
0
20
40
60
80
100
120
140
160
100
200
300
400
500
600
VCE - Volts
IC
-
A
m
per
es
TJ = 150C
RG = 5
dv / dt < 10V / ns
Fig. 8. Gate Charge
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
1020
3040
5060
7080
90
100
110
QG - NanoCoulombs
V
GE
-
V
o
lts
VCE = 300V
I C = 75A
I G = 10mA
Fig. 9. Capacitance
10
100
1,000
10,000
0
5
10
15
20
25
30
35
40
VCE - Volts
C
apac
itanc
e
-
P
ic
o
F
a
rads
f = 1 MHz
Cies
Coes
Cres
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| J-7-V3 | SNAP ACTING/LIMIT SWITCH, SPDT, MOMENTARY, 7A, 14VDC, 3.4mm, PANEL MOUNT |
| J-785-12 | COPPER ALLOY, TIN FINISH, RING TERMINAL |
| J-786-76 | COPPER ALLOY, TIN FINISH, RING TERMINAL |
| J-786-56 | COPPER ALLOY, TIN FINISH, RING TERMINAL |
| J-786-14 | COPPER ALLOY, TIN FINISH, RING TERMINAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXXH80N65B4 | 功能描述:IGBT 晶体管 650V/160A TRENCH IGBT GENX4 XPT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXXH80N65B4H1 | 功能描述:IGBT 晶体管 650V/160A TRENCH IGBT GENX4 XPT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXXK100N60B3H1 | 功能描述:IGBT 晶体管 XPT IGBT B3-Class 600V/190Amp CoPacked RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXXK100N60C3H1 | 功能描述:IGBT 晶体管 XPT IGBT C3-Class 600V/170Amp CoPacked RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXXK110N65B4H1 | 功能描述:IGBT 晶体管 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。