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参数资料
| 型号： | IXXH75N60C3D1 |
| 厂商： | IXYS CORP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| 封装： | TO-247AD, 3 PIN |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 188K |
| 代理商： | IXXH75N60C3D1 |
2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
IXXH75N60C3D1
Fig. 12. Inductive Switching Energy Loss vs.
Gate Resistance
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
5
10
1520
25
3035
4045
50
55
RG - Ohms
E
of
f-
M
illiJ
o
u
le
s
1
2
3
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5
6
7
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9
E
on
-
M
illiJ
o
u
le
s
Eoff
Eon - - - -
TJ = 150C , VGE = 15V
VCE = 400V
I C = 40A
I C = 80A
Fig. 15. Inductive Turn-off Switching Times vs.
Gate Resistance
50
60
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110
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130
140
5
10
152025
3035
4045
50
55
RG - Ohms
tf
i-
N
anosec
on
ds
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
td
(of
f) -
N
anosec
o
nds
t f i
td(off) - - - -
TJ = 150C, VGE = 15V
VCE = 400V
I C = 40A
I C = 80A
Fig. 13. Inductive Switching Energy Loss vs.
Collector Current
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
20
25
30
35
40
45
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55
60
65
70
75
80
IC - Amperes
E
of
f-
M
illiJ
o
u
le
s
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
E
on
-
M
illiJ
o
u
le
s
Eoff
Eon - - - -
RG = 5 , VGE = 15V
VCE = 400V
TJ = 150C
TJ = 25C
Fig. 14. Inductive Switching Energy Loss vs.
Junction Temperature
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
25
50
75
100
125
150
TJ - Degrees Centigrade
E
of
f-
M
illiJ
ou
le
s
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
E
on
-
M
illiJ
ou
le
s
Eoff
Eon - - - -
RG = 5 , VGE = 15V
VCE = 400V
I C = 40A
I C = 80A
Fig. 16. Inductive Turn-off Switching Times vs.
Collector Current
50
70
90
110
130
150
20
25
30
35
40
45
50
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75
80
IC - Amperes
tf
i-
N
anosec
on
ds
70
90
110
130
150
170
t
d(of
f) -
N
ano
se
co
nds
t f i
td(off) - - - -
RG = 5 , VGE = 15V
VCE = 400V
TJ = 150C
TJ = 25C
Fig. 17. Inductive Turn-off Switching Times vs.
Junction Temperature
65
70
75
80
85
90
95
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25
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75
100
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150
TJ - Degrees Centigrade
tf
i-
N
a
n
o
se
conds
70
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110
120
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td
(of
f) -
N
a
n
o
se
conds
t f i
td(on) - - - -
RG = 5 , VGE = 15V
VCE = 400V
I C = 80A
I C = 40A
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PDF描述 |
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