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参数资料
型号： JAN1N4975US
厂商： MICROSEMI CORP-LAWRENCE
元件分类： 齐纳二极管
英文描述： Low Current Operation at 250??A???Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode(250??A?·￥?????μ?μ?????°????????????μ?μ?????????a?￡°???é???o3?o???????)
中文描述： 51 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封装： HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
文件页数： 2/4页
文件大小： 607K
代理商： JAN1N4975US
VOIDLESS-HERMETICALLY-SEALED
5 WATT GLASS ZENER DIODES
SCOTTSD A L E DIVISION
1N4954 thru 1N4996, 1N5968 thru 1N5969, and
1N6632 thru 1N6637
W
.Mi
cr
os
em
i
.C
O
M
1N4954
t
h
ru
1
N
4996
1N5968
t
h
ru
1
N
5969
1N6632
t
h
ru
1
N
6637
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25oC
MAXIMUM ZENER
IMPEDANCE
MAXIMUM REVERSE
LEAKAGE CURRENT
VOLTAGE
NOMINAL
ZENER
VOLTAGE
VZ @ IZT
TEST
CURRENT
IZT
ZZ @
IZT
ZZK* @
IZK=1mA
VOLTAGE
REGULATION
(Note 1)
VZ
IR
VR
MAXIMUM
TEMPERATURE
COEFF.
αVZ @ IZT
MAXIMUM
CONTINUOUS
CURRENT
IZM
SURGE
CURRENT
IZSM
TYPE*
VOLTS
mA
OHMS
VOLTS
A
VOLTS
%/
oC
mA
AMPS
1N6632
1N6633
1N6634
1N6635
1N6636
1N6637
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
380
350
320
290
260
240
3.0
2.5
2.0
1.5
500
450
400
0.90
0.80
0.75
0.70
0.60
0.50
300
250
175
25
20
5
1.0
-.075
-.070
-.060
-.050
+/-.025
+/-.030
1440
1320
1220
1100
1010
930
20.0
18.7
17.6
16.4
15.3
14.4
1N5968
1N5969
1N4954
1N4955
1N4956
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
220
175
150
1.0
1.5
400
1000
800
600
0.4
0.5
0.7
5000
1000
150
100
50
4.28
4.74
5.2
5.7
6.2
.04
.05
.06
865
765
700
630
580
20
29.3
26.4
24
1N4957
1N4958
1N4959
1N4960
1N4961
9.1
10.0
11
12
13
150
125
100
2.0
2.5
3.0
400
125
130
140
145
0.7
0.8
0.9
25
10
6.9
7.6
8.4
9.1
9.9
.06
.07
.08
520
475
430
395
365
22
20
19
18
16
1N4962
1N4963
1N4964
1N4965
1N4966
15
16
18
20
22
75
65
50
3.5
4.0
4.5
5.0
150
155
160
165
170
1.0
1.1
1.2
1.5
1.8
5
2
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
.08
.085
315
294
264
237
216
12
10
9.0
8.0
7.0
1N4967
1N4968
1N4969
1N4970
1N4971
24
27
30
33
36
50
40
30
5.0
6.0
8
10
11
175
180
190
200
220
2.0
2.5
2.8
3.0
2
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
.090
.095
198
176
158
144
132
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
1N4972
1N4973
1N4974
1N4975
1N4976
39
43
47
51
56
30
25
20
14
20
25
27
35
230
240
250
270
320
3.0
3.3
3.5
4.0
4.4
2
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
.095
122
110
100
92
84
4.0
3.5
3.2
3.0
2.8
1N4977
1N4978
1N4979
1N4980
1N4981
62
68
75
82
91
20
15
42
50
55
80
90
400
500
620
720
760
5.0
5.5
6.0
6.6
7.5
2
47.1
51.7
56.0
62.2
69.2
.100
76
70
63.0
58.0
52.5
2.5
2.2
2.0
1.8
1.6
1N4982
1N4983
1N4984
1N4985
1N4986
100
110
120
130
150
12
10
8
110
125
170
190
330
800
1000
1150
1250
1500
8.0
9.0
10
11
13
2
76.0
83.6
91.2
98.8
114.0
.100
.105
47.5
43.0
39.5
36.6
31.6
1.4
1.2
1.00
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1N4990
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180
200
220
240
8
5
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450
500
550
650
1650
1750
1850
2000
2050
14
16
18
19
22
2
121.6
136.8
152
167
182
.105
.110
.115
29.4
26.4
23.6
21.6
19.8
0.70
0.60
0.50
0.40
1N4992
1N4993
1N4994
1N4995
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330
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5
4
3
800
950
1175
1400
1800
2100
2150
2200
2300
2500
25
28
32
35
40
2
206
228
251
274
297
.120
17.5
15.6
14.4
13.0
12.0
0.35
0.30
0.25
0.22
0.20
*IZK = 5 mA for 1N5968
NOTE 1: Maximum voltage change
VZ between 10% of IZM and 50% of IZM
Microsemi
Scottsdale Division
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
Page 2
Copyright
2005
2-4-2005 REV C
相关PDF资料
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JAN1N4978US Low Current Operation at 250??A???Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode(250??A?·￥?????μ?μ?????°????????????μ?μ?????????a?￡°???é???o3?o???????)
JAN1N966DUR-1 Low Current Operation at 250??A???Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode(250??A?·￥?????μ?μ?????°????????????μ?μ?????????a?￡°???é???o3?o???????)
JANTX1N976DUR-1 Low Current Operation at 250??A???Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode(250??A?·￥?????μ?μ?????°????????????μ?μ?????????a?￡°???é???o3?o???????)
JANTXV1N976DUR-1 Low Current Operation at 250??A???Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode(250??A?·￥?????μ?μ?????°????????????μ?μ?????????a?￡°???é???o3?o???????)
JAN1N986DUR-1 Low Current Operation at 250??A???Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode(250??A?·￥?????μ?μ?????°????????????μ?μ?????????a?￡°???é???o3?o???????)
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参数描述
JAN1N4976 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER SGL 56V 5% 5W 2PIN E - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 56V 5W
JAN1N4976C 功能描述:Zener Diode 56V 5W ±2% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/356 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:56V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:35 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 42.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:E，轴向 供应商器件封装:E，轴向 标准包装:1
JAN1N4976CUS 功能描述:Zener Diode 56V 5W ±2% Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/356 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:56V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:35 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 42.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF，E 供应商器件封装:D-5B 标准包装:1
JAN1N4976D 功能描述:Zener Diode 56V 5W ±1% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/356 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:56V 容差:±1% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:35 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 42.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:E，轴向 供应商器件封装:E，轴向 标准包装:1
JAN1N4976DUS 功能描述:Zener Diode 56V 5W ±1% Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/356 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:56V 容差:±1% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:35 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 42.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF，E 供应商器件封装:D-5B 标准包装:1
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