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参数资料
| 型号： | JAN1N4975US |
| 厂商： | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | Low Current Operation at 250??A???Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode(250??A?·￥?????μ?μ?????°????????????μ?μ?????????a?￡°???é???o3?o???????) |
| 中文描述： | 51 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 607K |
| 代理商： | JAN1N4975US |
VOIDLESS-HERMETICALLY-SEALED
5 WATT GLASS ZENER DIODES
Microsemi
Scottsdale Division
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
Page 4
Copyright
2005
2-4-2005 REV C
W
.Mi
cr
os
em
i
.C
O
M
SCOTTSD A L E DIVISION
1N4954 thru 1N4996, 1N5968 thru 1N5969, and
1N6632 thru 1N6637
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PACKAGE DIMENSIONS
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| JAN1N4976CUS | 功能描述:Zener Diode 56V 5W ±2% Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/356 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:56V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:35 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 42.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF，E 供应商器件封装:D-5B 标准包装:1 |
| JAN1N4976D | 功能描述:Zener Diode 56V 5W ±1% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/356 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:56V 容差:±1% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:35 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 42.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:E，轴向 供应商器件封装:E，轴向 标准包装:1 |
| JAN1N4976DUS | 功能描述:Zener Diode 56V 5W ±1% Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/356 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:56V 容差:±1% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:35 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 42.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF，E 供应商器件封装:D-5B 标准包装:1 |
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