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参数资料
| 型号： | K6X1008C2D-DF70 |
| 厂商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
| 中文描述： | 128Kx8位低功耗CMOS静态RAM |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 176K |
| 代理商： | K6X1008C2D-DF70 |
CMOS SRAM
K6X1008C2D Family
Revision 1.0
September 2003
7
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(2)
(CS
1
Controlled)
Address
CS
1
t
WC
t
WR(4)
t
AS(3)
t
DW
t
DH
Data Valid
WE
Data in
Data out
High-Z
High-Z
CS
2
t
CW(2)
t
WP(1)
t
AW
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(1)
(WE Controlled)
Address
CS
1
t
CW(2)
t
WR(4)
CS
2
t
CW(2)
t
WP(1)
t
DW
t
DH
t
OW
t
WHZ
Data Undefined
Data Valid
WE
Data in
Data out
t
WC
t
AW
t
AS(3)
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PDF描述 |
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