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参数资料
| 型号： | LAMXO640C-3TN144E |
| 厂商： | Lattice Semiconductor Corporation |
| 文件页数： | 28/77页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FPGA AUTO 640LUTS 144TQFP |
| 标准包装： | 60 |
| 系列： | LA-MachXO |
| 可编程类型： | 系统内可编程 |
| 最大延迟时间 tpd(1)： | 4.9ns |
| 电压电源 - 内部： | 1.71 V ~ 3.465 V |
| 宏单元数： | 320 |
| 输入/输出数： | 113 |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 144-LQFP |
| 供应商设备封装： | 144-TQFP（20x20） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 220-1640 LAMXO640C-3TN144E-ND |
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3-8
DC and Switching Characteristics
Lattice Semiconductor
LA-MachXO Automotive Family Data Sheet
sysIO Differential Electrical Characteristics
LVDS
Over Recommended Operating Conditions
LVDS Emulation
LA-MachXO automotive devices can support LVDS outputs via emulation (LVDS25E), in addition to the LVDS sup-
port that is available on-chip on certain devices. The output is emulated using complementary LVCMOS outputs in
conjunction with resistors across the driver outputs on all devices. The scheme shown in Figure 3-1 is one possible
solution for LVDS standard implementation. Resistor values in Figure 3-1 are industry standard values for 1% resis-
tors.
Figure 3-1. LVDS Using External Resistors (LVDS25E)
The LVDS differential input buffers are available on certain devices in the LA-MachXO family.
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
VINP, VINM
Input Voltage
0
—
2.4
V
VTHD
Differential Input Threshold
+/-100
—
mV
VCM
Input Common Mode Voltage
100mV ≤ VTHD
VTHD/2
1.2
1.8
V
200mV ≤ VTHD
VTHD/2
1.2
1.9
V
350mV ≤ VTHD
VTHD/2
1.2
2.0
V
IIN
Input current
Power on
—
+/-10
A
VOH
Output high voltage for VOP or VOM
RT = 100 Ohm
—
1.38
1.60
V
VOL
Output low voltage for VOP or VOM
RT = 100 Ohm
0.9V
1.03
—
V
VOD
Output voltage differential
(VOP - VOM), RT = 100 Ohm
250
350
450
mV
ΔVOD
Change in VOD between high and
low
—
50
mV
VOS
Output voltage offset
(VOP - VOM)/2, RT = 100 Ohm
1.125
1.25
1.375
V
ΔVOS
Change in VOS between H and L
—
50
mV
IOSD
Output short circuit current
VOD = 0V Driver outputs
shorted
——
6
mA
158
Zo = 100
140
100
On-chip
Off-chip
VCCIO = 2.5
8mA
Note: All resistors are ±1%.
VCCIO = 2.5
+
-
Emulated
LVDS
Buffer
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| LAMXO640E | 制造商:LATTICE 制造商全称:Lattice Semiconductor 功能描述:LA-MachXO Automotive Family Data Sheet |
| LAMXO640E-3FTN256E | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 Auto Grade (AEC-Q100 ) MachXO640E RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
| LAMXO640E-3TN100E | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 Auto Grade (AEC-Q100 ) MachXO640E RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
| LAMXO640E-3TN144E | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 Auto Grade (AEC-Q100 ) MachXO640E RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
| LAMXO640LUTSC-3FTN256E | 制造商:LATTICE 制造商全称:Lattice Semiconductor 功能描述:LA-MachXO Automotive Family Data Sheet |
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