参数资料
型号: LAMXO640C-3TN144E
厂商: Lattice Semiconductor Corporation
文件页数: 36/77页
文件大小: 0K
描述: IC FPGA AUTO 640LUTS 144TQFP
标准包装: 60
系列: LA-MachXO
可编程类型: 系统内可编程
最大延迟时间 tpd(1): 4.9ns
电压电源 - 内部: 1.71 V ~ 3.465 V
宏单元数: 320
输入/输出数: 113
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 144-LQFP
供应商设备封装: 144-TQFP(20x20)
包装: 托盘
其它名称: 220-1640
LAMXO640C-3TN144E-ND
3-15
DC and Switching Characteristics
Lattice Semiconductor
LA-MachXO Automotive Family Data Sheet
LA-MachXO Family Timing Adders
1, 2, 3
Over Recommended Operating Conditions
Buffer Type
Description
-3
Units
Input Adjusters
LVDS25
4
LVDS
0.61
ns
BLVDS25
4
BLVDS
0.61
ns
LVPECL33
4
LVPECL
0.59
ns
LVTTL33
LVTTL
0.01
ns
LVCMOS33
LVCMOS 3.3
0.01
ns
LVCMOS25
LVCMOS 2.5
0.00
ns
LVCMOS18
LVCMOS 1.8
0.10
ns
LVCMOS15
LVCMOS 1.5
0.19
ns
LVCMOS12
LVCMOS 1.2
0.56
ns
PCI33
4
PCI
0.01
ns
Output Adjusters
LVDS25E
LVDS 2.5 E
-0.18
ns
LVDS25
4
LVDS 2.5
-0.30
ns
BLVDS25
BLVDS 2.5
-0.04
ns
LVPECL33
LVPECL 3.3
0.05
ns
LVTTL33_4mA
LVTTL 4mA drive
0.05
ns
LVTTL33_8mA
LVTTL 8mA drive
0.08
ns
LVTTL33_12mA
LVTTL 12mA drive
-0.01
ns
LVTTL33_16mA
LVTTL 16mA drive
0.70
ns
LVCMOS33_4mA
LVCMOS 3.3 4mA drive
0.05
ns
LVCMOS33_8mA
LVCMOS 3.3 8mA drive
0.08
ns
LVCMOS33_12mA
LVCMOS 3.3 12mA drive
-0.01
ns
LVCMOS33_14mA
LVCMOS 3.3 14mA drive
0.70
ns
LVCMOS25_4mA
LVCMOS 2.5 4mA drive
0.07
ns
LVCMOS25_8mA
LVCMOS 2.5 8mA drive
0.13
ns
LVCMOS25_12mA
LVCMOS 2.5 12mA drive
0.00
ns
LVCMOS25_14mA
LVCMOS 2.5 14mA drive
0.47
ns
LVCMOS18_4mA
LVCMOS 1.8 4mA drive
0.15
ns
LVCMOS18_8mA
LVCMOS 1.8 8mA drive
0.06
ns
LVCMOS18_12mA
LVCMOS 1.8 12mA drive
-0.08
ns
LVCMOS18_14mA
LVCMOS 1.8 14mA drive
0.09
ns
LVCMOS15_4mA
LVCMOS 1.5 4mA drive
0.22
ns
LVCMOS15_8mA
LVCMOS 1.5 8mA drive
0.07
ns
LVCMOS12_2mA
LVCMOS 1.2 2mA drive
0.36
ns
LVCMOS12_6mA
LVCMOS 1.2 6mA drive
0.07
ns
PCI33
4
PCI33
2.59
ns
1. Timing adders are characterized but not tested on every device.
2. LVCMOS timing is measured with the load specied in Switching Test Conditions table.
3. All other standards tested according to the appropriate specications.
4. I/O standard only available in LCMXO1200 and LCMXO2280 devices.
Rev. A 0.19
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参数描述
LAMXO640E 制造商:LATTICE 制造商全称:Lattice Semiconductor 功能描述:LA-MachXO Automotive Family Data Sheet
LAMXO640E-3FTN256E 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 Auto Grade (AEC-Q100 ) MachXO640E RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100
LAMXO640E-3TN100E 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 Auto Grade (AEC-Q100 ) MachXO640E RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100
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