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参数资料
| 型号： | LCMXO640E-4MN132I |
| 厂商： | Lattice Semiconductor Corporation |
| 文件页数： | 32/88页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FPGA 640LUTS 132CSBGA |
| 标准包装： | 360 |
| 系列： | MachXO |
| 可编程类型： | 系统内可编程 |
| 最大延迟时间 tpd(1)： | 4.2ns |
| 电压电源 - 内部： | 1.14 V ~ 1.26 V |
| 宏单元数： | 320 |
| 输入/输出数： | 101 |
| 工作温度： | -40°C ~ 100°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 132-LFBGA，CSPBGA |
| 供应商设备封装： | 132-CSPBGA（8x8） |
| 包装： | 托盘 |
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DC and Switching Characteristics
MachXO Family Data Sheet
sysIO Differential Electrical Characteristics
LVDS
Over Recommended Operating Conditions
Parameter
Symbol
V INP, V INM
V THD
V CM
I IN
V OH
V OL
V OD
? V OD
V OS
? V OS
I OSD
Parameter Description
Input Voltage
Differential Input Threshold
Input Common Mode Voltage
Input current
Output high voltage for V OP or V OM
Output low voltage for V OP or V OM
Output voltage differential
Change in V OD between high and
low
Output voltage offset
Change in V OS between H and L
Output short circuit current
Test Conditions
100mV ? V THD
200mV ? V THD
350mV ? V THD
Power on
R T = 100 Ohm
R T = 100 Ohm
(V OP - V OM ), R T = 100 Ohm
(V OP - V OM )/2, R T = 100 Ohm
V OD = 0V Driver outputs
shorted
Min.
0
+/-100
V THD /2
V THD /2
V THD /2
—
—
0.9V
250
—
1.125
—
—
Typ.
—
—
1.2
1.2
1.2
—
1.38
1.03
350
—
1.25
—
—
Max.
2.4
—
1.8
1.9
2.0
+/-10
1.60
—
450
50
1.375
50
6
Units
V
mV
V
V
V
μA
V
V
mV
mV
V
mV
mA
LVDS Emulation
MachXO devices can support LVDS outputs via emulation (LVDS25E), in addition to the LVDS support that is avail-
able on-chip on certain devices. The output is emulated using complementary LVCMOS outputs in conjunction with
resistors across the driver outputs on all devices. The scheme shown in Figure 3-1 is one possible solution for
LVDS standard implementation. Resistor values in Figure 3-1 are industry standard values for 1% resistors.
Figure 3-1. LVDS Using External Resistors (LVDS25E)
V CCIO = 2.5
15 8
8 mA
Zo = 100
+
V CCIO = 2.5
15 8
140
100
-
8 mA
On-chip
Off-chip
Off-chip
On-chip
Em u lated
L V DS
B u ffer
N ote: All resistors are ±1 % .
The LVDS differential input buffers are available on certain devices in the MachXO family.
3-6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GCM18DCMD | CONN EDGECARD 36POS .156 WW |
| 10018784-11002TLF | CONN PCI EXPRESS 98POS VERT PCB |
| 10018783-10001TLF | CONN PCI EXPRESS 64POS VERT PCB |
| XC2C128-6VQG100C | IC CR-II CPLD 128MCELL 100-VQFP |
| RSA36DRMN-S288 | CONN EDGECARD 72POS .125 EXTEND |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| LCMXO640E-4T100C | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 640 LUTs 74 IO 1.2V -4 Spd RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
| LCMXO640E-4T100I | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 640 LUTs 74 IO 1.2V -4 Spd I RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
| LCMXO640E-4T144C | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 640 LUTs 113 IO 1.2V -4 Spd RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
| LCMXO640E-4T144I | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 640 LUTs 113 IO 1.2V -4 Spd I RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
| LCMXO640E-4TN100C | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 640 LUTs 74 IO 1.2V -4 Spd RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
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