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参数资料
| 型号： | LCMXO640E-4TN144I |
| 厂商： | Lattice Semiconductor Corporation |
| 文件页数： | 28/88页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FPGA 640LUTS 144TQFP |
| 标准包装： | 60 |
| 系列： | MachXO |
| 可编程类型： | 系统内可编程 |
| 最大延迟时间 tpd(1)： | 4.2ns |
| 电压电源 - 内部： | 1.14 V ~ 1.26 V |
| 宏单元数： | 320 |
| 输入/输出数： | 113 |
| 工作温度： | -40°C ~ 100°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 144-LQFP |
| 供应商设备封装： | 144-TQFP（20x20） |
| 包装： | 托盘 |
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DC and Switching Characteristics
MachXO Family Data Sheet
MachXO256 and MachXO640 Hot Socketing Specifications 1, 2, 3
Symbol
I DK
Parameter
Input or I/O leakage Current
Condition
0 ? V IN ? V IH (MAX)
Min.
—
Typ.
—
Max
+/-1000
Units
μA
1. Insensitive to sequence of V CC, V CCAUX, and V CCIO . However, assumes monotonic rise/fall rates for V CC, V CCAUX, and V CCIO.
2. 0 ? V CC ? V CC (MAX), 0 ? V CCIO ? V CCIO (MAX) and 0 ? V CCAUX ? V CCAUX (MAX).
3. I DK is additive to I PU, I PD or I BH .
MachXO1200 and MachXO2280 Hot Socketing Specifications 1 , 2 , 3
Symbol
Parameter
Condition
Min.
Typ.
Max.
Units
Non-LVDS General Purpose sysIOs
I DK
Input or I/O Leakage Current
0 ? V IN ? V IH (MAX.)
—
—
+/-1000
μA
LVDS General Purpose sysIOs
I DK_LVDS
Input or I/O Leakage Current
V IN ? V CCIO
V IN > V CCIO
—
—
—
35
+/-1000
—
μA
mA
1. Insensitive to sequence of V CC, V CCAUX, and V CCIO . However, assumes monotonic rise/fall rates for V CC, V CCAUX, and V CCIO.
2. 0 ? V CC ? V CC (MAX), 0 ? V CCIO ? V CCIO (MAX), and 0 ? V CCAUX ? V CCAUX (MAX).
3. I DK is additive to I PU, I PW or I BH .
DC Electrical Characteristics
Over Recommended Operating Conditions
Symbol
Parameter
Condition
Min.
Typ.
Max.
Units
I IL, I IH 1, 4, 5 Input or I/O Leakage
0 ? V IN ? (V CCIO - 0.2V)
(V CCIO - 0.2V) < V IN ? 3.6V
—
—
—
—
10
40
μA
μA
I PU
I PD
I BHLS
I/O Active Pull-up Current
I/O Active Pull-down Current
Bus Hold Low sustaining current
0 ? V IN ? 0.7 V CCIO
V IL (MAX) ? V IN ? V IH (MAX)
V IN = V IL (MAX)
-30
30
30
—
—
—
-150
150
—
μA
μA
μA
I BHHS
Bus Hold High sustaining current V IN = 0.7V CCIO
-30
—
—
μA
I BHLO
I BHHO
V BHT 3
C1
C2
Bus Hold Low Overdrive current
Bus Hold High Overdrive current
Bus Hold trip Points
I/O Capacitance 2
Dedicated Input Capacitance 2
0 ? V IN ? V IH (MAX)
0 ? V IN ? V IH (MAX)
0 ? V IN ? V IH (MAX)
V CCIO = 3.3V, 2.5V, 1.8V, 1.5V, 1.2V,
V CC = Typ., V IO = 0 to V IH (MAX)
V CCIO = 3.3V, 2.5V, 1.8V, 1.5V, 1.2V,
V CC = Typ., V IO = 0 to V IH (MAX)
—
—
V IL (MAX)
—
—
—
—
—
8
8
150
-150
V IH (MIN)
—
—
μA
μA
V
pf
pf
1. Input or I/O leakage current is measured with the pin configured as an input or as an I/O with the output driver tri-stated. It is not measured
with the output driver active. Bus maintenance circuits are disabled.
2. T A 25°C, f = 1.0MHz
3. Please refer to V IL and V IH in the sysIO Single-Ended DC Electrical Characteristics table of this document.
4. Not applicable to SLEEPN pin.
5. When V IH is higher than V CCIO , a transient current typically of 30ns in duration or less with a peak current of 6mA can occur on the high-to-
low transition. For MachXO1200 and MachXO2280 true LVDS output pins, V IH must be less than or equal to V CCIO .
3-2
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参数描述 |
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| LCMXO640E-5BN256C | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 640 LUTs 159 I/O 1.2V -5 SPD RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
| LCMXO640E-5F256C | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 Use LCMXO640E-5FT256 RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
| LCMXO640E-5FN256C | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 Use LCMXO640E-5FTN25 RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
| LCMXO640E-5FT256C | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 640 LUTs 159 IO 1.2V -5 Spd RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
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