参数资料
| 型号： | LM311DR2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC COMPARATOR SGL HI VOLT 8SOIC |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 14/Apr/2010 |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | 通用 |
| 元件数： | 1 |
| 输出类型： | DTL，MOS，开路集电极，开路发射极，RTL，TTL |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 5 V ~ 30 V，±2.5 V ~ 15 V |
| 电流 - 静态（最大值）： | 7.5mA |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | LM311DR2OSCT |
LM211, LM311
http://onsemi.com
5
Figure 9. Response Time for
Various Input Overdrives
Figure 10. Response Time for
Various Input Overdrives
Figure 11. Output Short Circuit Current
Characteristics and Power Dissipation
Figure 12. Output Saturation Voltage
versus Output Current
tTLH, RESPONSE TIME (ms)
tTHL, RESPONSE TIME (ms)
VO, OUTPUT VOLTAGE (V)
IO, OUTPUT CURRENT (mA)
V
in
INPUT
VOL
TAGE
(mV)
,
V
O
,OUTPUT
VOL
TAGE
(V
)
V
in
INPUT
VOL
TAGE
(mV)
,
V
O
,OUTPUT
VOL
TAGE
(V)
OUTPUT
SHOR
T
CIRCUIT
CURRENT
(mA)
V
OL
,SA
TURA
TION
VOL
TAGE
(V)
P
D
,POWER
DISSIP
A
TION
(W)
15
10
5.0
0
-5.0
-10
-15
0
-50
-100
0
1.0
2.0
0
1.0
2.0
15
10
5.0
0
-5.0
-10
-15
0
50
100
150
125
100
75
50
25
0
5.0
10
15
0.90
0.75
0.60
0.45
0.30
0.15
0
0.90
0.75
0.60
0.45
0.30
0.15
0
8.0
16
24
32
40
48
56
TA = +25°C
TA = -55°C
TA = +25°C
TA = +125°C
20 mV
5.0 mV
2.0 mV
Vin
VCC
VO
2.0k
VEE
*
)
20 mV
5.0 mV
2.0 mV
Vin
VCC
VO
2.0k
VEE
*
)
Power Dissipation
Short Circuit Current
VCC = +15 V
VEE = -15 V
TA = +25°C
VCC = +15 V
VEE = -15 V
TA = +25°C
Figure 13. Output Leakage Current
versus Temperature
Figure 14. Power Supply Current
versus Supply Voltage
OUTPUT
LEAKAGE
CURRENT
(mA)
POWER
SUPPL
Y
CURRENT
(mA)
TA, TEMPERATURE (°C)
VCC-VEE, POWER SUPPLY VOLTAGE (V)
100
10
1.0
0.1
0.01
25
45
65
85
105
125
3.6
3.0
2.4
1.8
1.2
0.6
0
5.0
10
15
20
25
30
VCC = +15 V
VEE = -15 V
TA = +25°C
Output VO = +50 V (LM211 only)
Positive Supply - Output Low
Positive and Negative Power Supply - Output H igh
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