参数资料
| 型号： | LM311DR2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC COMPARATOR SGL HI VOLT 8SOIC |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 14/Apr/2010 |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | 通用 |
| 元件数： | 1 |
| 输出类型： | DTL，MOS，开路集电极，开路发射极，RTL，TTL |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 5 V ~ 30 V，±2.5 V ~ 15 V |
| 电流 - 静态（最大值）： | 7.5mA |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | LM311DR2OSCT |
LM211, LM311
http://onsemi.com
8
PACKAGE DIMENSIONS
PDIP8
N SUFFIX
CASE 62605
ISSUE M
14
5
8
F
NOTE 5
D
e
b
L
A1
A
E3
E
A
TOP VIEW
C SEATING
PLANE
0.010
CA
SIDE VIEW
END VIEW
NOTE 3
DIM
MIN
NOM
MAX
INCHES
A
0.210
A1 0.015
b
0.014
0.018
0.022
C
0.008
0.010
0.014
D
0.355
0.365
0.400
D1 0.005
e
0.100 BSC
E
0.300
0.310
0.325
L
0.115
0.130
0.150
5.33
0.38
0.35
0.46
0.56
0.20
0.25
0.36
9.02
9.27
10.02
0.13
2.54 BSC
7.62
7.87
8.26
2.92
3.30
3.81
MIN
NOM
MAX
MILLIMETERS
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ASME
Y14.5M, 1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCHES.
3. DIMENSION E IS MEASURED WITH THE LEADS RE-
STRAINED PARALLEL AT WIDTH E2.
4. DIMENSION E1 DOES NOT INCLUDE MOLD FLASH.
5. ROUNDED CORNERS OPTIONAL.
E1
0.240
0.250
0.280
6.10
6.35
7.11
E2
E3
0.430
10.92
0.300 BSC
7.62 BSC
E1
D1
M
8X
e/2
E2
c
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| LM311DRG4 | 功能描述:校验器 IC Single Strobed Differential RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品: 比较器类型: 通道数量: 输出类型:Push-Pull 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.1 V 补偿电压（最大值）:6 mV 电源电流（最大值）:1350 nA 响应时间: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-70-5 封装:Reel |
| LM311DT | 功能描述:校验器 IC Single GP Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品: 比较器类型: 通道数量: 输出类型:Push-Pull 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.1 V 补偿电压（最大值）:6 mV 电源电流（最大值）:1350 nA 响应时间: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-70-5 封装:Reel |
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