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参数资料
| 型号： | LN172 |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 红外LED |
| 英文描述： | GaAlAs Infrared Light Emitting Diode |
| 中文描述： | 4.2 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 900 nm |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 171K |
| 代理商： | LN172 |
2
Infrared Light Emitting Diodes
LN172
IFP — Duty cycle
10 2
10
1
10 –1
Duty cycle (%)
Pulse
forward
current
I
FP
(A)
110
10 2
10 –2
10 –1
tw = 10s
Ta = 25C
IF — Ta
120
100
80
60
40
20
Ambient temperature
Ta (C )
Allowable
forward
current
I
F
(mA)
0
20406080
100
0
– 25
IFP — VF
10
1
10 –1
Forward voltage
V
F (V)
Pulse
forward
current
I
FP
(A)
10 –2
0
tw = 10s
f = 100Hz
Ta = 25C
135
24
P
O — IF
10 3
10 2
10
1
10 –1
Forward current
I
F (A)
Relative
radiant
power
P
O
10 –2
110
10 –1
10 –2
10 –3
(1) tw = 10s
f = 100Hz
(2) DC
Ta = 25C
VF — Ta
1.6
1.2
0.8
0.4
0
Ambient temperature
Ta (C )
Forward
voltage
V
F
(V)
– 40
0
40
80
120
P
O — Ta
10
1
Ambient temperature
Ta (C )
IF = 100mA
Relative
radiant
power
P
O
– 40
0
40
80
10 –1
Directivity characteristics
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
Spectral characteristics
100
80
60
40
20
Wavelength
λ (nm)
Relative
radiant
intensity
(%)
820
860
900
940
980
1020
0
780
IF = 100mA
Ta = 25C
λ
P — Ta
960
940
920
900
880
860
Ambient temperature
Ta (C )
IF = 100mA
Peak
emission
wavelength
λ
P
(nm)
– 40
0
40
80
120
20
100
80
60
40
Relative
radiant
intensity(%)
IF = 100mA
10mA
1mA
(1)
(2)
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PDF描述 |
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