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参数资料
| 型号： | LT3800EFE#TRPBF |
| 厂商： | Linear Technology |
| 文件页数： | 19/24页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG CTRLR INV PWM CM 16-TSSOP |
| 标准包装： | 2,500 |
| PWM 型： | 电流模式 |
| 输出数： | 1 |
| 频率 - 最大： | 220kHz |
| 占空比： | 95% |
| 电源电压： | 4 V ~ 60 V |
| 降压： | 是 |
| 升压： | 无 |
| 回扫： | 无 |
| 反相： | 是 |
| 倍增器： | 无 |
| 除法器： | 无 |
| Cuk： | 无 |
| 隔离： | 无 |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | 16-TSSOP（0.173"，4.40mm）裸露焊盘 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
LT3800
APPLICATIONS INFORMATION
The LT3800 packaging has been designed to ef?ciently
remove heat from the IC via the Exposed Pad on the
backside of the package. The Exposed Pad is soldered to
Orientation of Components Isolates Power Path and PGND
Currents, Preventing Corruption of SGND Reference
V IN
a copper footprint on the PCB. This footprint should be
made as large as possible to reduce the thermal resistance
BOOST
SW
+
of the IC case to ambient air.
SGND
LT3800
TG
SW
REFERRED
COMPONENTS
V CC
BG
SGND PGND
3800 AI05
V OUT
I SENSE
TYPICAL APPLICATIONS
6.5V-55V to 5V 10A DC/DC Converter with Charge Pump Doubler V CC Refresh and Current Limit Foldback
V IN
6.5V TO 55V
+
C8
56μF
63V
× 2
C2
1μF
100V
X7R × 3
R A
1M
C7
1.5nF
R4 75k
V IN
NC
SHDN
BOOST
TG
LT3800
SW
C1 1μF
16V X7R
D1
BAS19
M1
Si7850DP
× 2
R1
100k
1%
R2
309k
1%
C SS
BURST_EN
V FB
NC
V CC
BG
C3 1μF
16V X7R
M2
Si7370DP
× 2
L1
5.6μH
DS3
B160
× 2
R3
V C
PGND
62k
C9
470pF
C10
100pF
R5
47k
SENSE – SENSE +
SGND
R S
0.01Ω
D2
1N4148
V OUT
Ef?ciency and Power Loss
DS2
MBRO520L
DS1
MBRO520L
M3
1/2 Si1555DL
C6
10μF
6.3V
X7R
+
5V AT 10A
C5
220μF
× 2
3800 TA02a
100
12
C4
1 μ F
M4
1/2 Si1555DL
C5: SANYO POSCAP 6TP220M
L1: IHLP-5050FD-01
95
V IN = 13.8V
V IN = 24V
V IN = 48V
10
90
8
85
80
V IN = 55V
POWER LOSS
V IN = 48V
POWER LOSS
6
4
75
70
V IN = 13.8V
2
0
0
2
4
6
8
10
I OUT (A)
3800 TA02b
3800fc
19
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PDF描述 |
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参数描述 |
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