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参数资料
| 型号： | LTC1473LCGN#TRPBF |
| 厂商： | Linear Technology |
| 文件页数： | 2/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SWITCH DVR PWRPATH DUAL16SSOP |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerPath™ |
| 应用： | 手持/移动设备 |
| FET 型： | N 沟道 |
| 输出数： | 2 |
| 内部开关： | 无 |
| 延迟时间 - 开启： | 22µs |
| 延迟时间 - 关闭： | 1µs |
| 电源电压： | 2.8 V ~ 9 V |
| 电流 - 电源： | 100µA |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SSOP（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
LTC1473L
ABSOLUTE
AXI U RATI GS
PACKAGE/ORDER I FOR ATIO
(Note 1)
SENSE + , SENSE – , V + .................................. – 0.3 to 10V
GA1, GB1, GA2, GB2 ................................... – 0.3 to 20V
SAB1, SAB2 ................................................. – 0.3 to 10V
SW, V GG ...................................................... – 0.3 to 20V
IN1 1
IN2 2
DIODE 3
TIMER 4
TOP VIEW
16 GA1
15 SAB1
14 GB1
13 SENSE +
ORDER PART
NUMBER
LTC1473LCGN
IN1, IN2, DIODE ........................................... – 0.3V to 7V
Junction Temperature (Note 2) ............................. 125 ° C
Operating Temperature Range ..................... 0 ° C to 70 ° C
Storage Temperature Range ................. – 65 ° C to 150 ° C
Lead Temperature (Soldering, 10 sec).................. 300 ° C
V + 5 12 SENSE –
V GG 6 11 GA2
SW 7 10 SAB2
GND 8 9 GB2
GN PACKAGE
16-LEAD NARROW PLASTIC SSOP
GN PART MARKING
1473L
T JMAX = 125 ° C, θ JA = 150 ° C/ W
Consult factory for Military and Industrial grade parts.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS The q denotes the specifications which apply over the full operating
temperature range, otherwise specifications are at T A = 25 ° C. Test circuit, V + = 5V, unless otherwise specified.
V IN1 = V DIODE = 5V, V IN2 = 0V, V SENSE = V SENSE = 5V
SYMBOL
V +
I S
PARAMETER
Supply Operating Range
Supply Current
CONDITIONS
+ –
q
MIN
2.8
TYP
100
MAX
9
200
UNITS
V
μ A
V GS
V GS Gate Supply Voltage
V GS = V GG – V + , 2.8V ≤ V + ≤ 10V (Note 3)
q
7.5
8.5
9.5
V
V +
UVLO
V + Undervoltage Lockout Threshold
V + Ramping
Down
q
2.3
2.5
2.8
V
V +
UVLOHYS
V + Undervoltage Lockout Hysteresis
70
mV
V HIDIGIN
Digital Input Logic High
(Note 4)
q
2
0.9
V
V LODIGIN
I IN
Digital Input Logic Low
Input Current
(Note 4)
V IN1 = V IN2 = V DIODE = 5V
q
0.6
0.4
± 1
V
μ A
V GS(ON)
V GS(OFF)
Gate-to-Source ON Voltage
Gate-to-Source OFF Voltage
I GA1 = I GA2 = I GB1 = I GB2 = – 1 μ A, V SAB1 = V SAB2 = 5V
I GA1 = I GA2 = I GB1 = I GB2 = 100 μ A, V SAB1 = V SAB2 = 5V
q
q
4.5
5.6
0
7.0
0.4
V
V
I BSENSE
+
SENSE +
Input Bias Current
V SENSE + = V SENSE – = 10V (Note 3)
V SENSE + = V SENSE – = 0V (Note 5)
q
q
2
– 300
4.5
– 175
10
– 75
μ A
μ A
I BSENSE –
V SENSE
I PDSAB
I TIMER
V TIMER
SENSE – Input Bias Current
Inrush Current Limit Sense Voltage
SAB1, SAB2 Pull-Down Current
Timer Source Current
Timer Latch Threshold Voltage
V SENSE + = V SENSE – = 10V (Note 3)
V SENSE + = V SENSE – = 0V (Note 5)
V SENSE – = 10V (V SENSE + – V SENSE – ) (Note 3)
V SENSE – = 0V (V SENSE + – V SENSE – )
V IN1 = V IN2 = V DIODE = 0.4V, V + = 10V (Note 3)
V IN1 = V IN2 = 0.4V, V DIODE = 2V
V IN1 = 0.4V, V IN2 = V DIODE = 2V, V TIMER = 0V,
V SENSE + – V SENSE – = 300mV
V IN1 = 0.4V, V IN2 = V DIODE = 2V
q
q
q
q
2
– 300
0.15
0.10
5
30
3
1.05
4.5
– 175
0.20
0.20
20
140
6
1.16
10
– 75
0.25
0.30
35
300
9
1.25
μ A
μ A
V
V
μ A
μ A
μ A
V
t ON
t OFF
t D1
t D2
f OVGG
Gate Drive Rise Time
Gate Drive Fall Time
Gate Drive Turn-On Delay
Gate Drive Turn-Off Delay
V GS Regulator Operating Frequency
C GS = 1000pF, V SAB1 = V SAB2 = 0V (Note 6)
C GS = 1000pF, V SAB1 = V SAB2 = 5V (Note 6)
C GS = 1000pF, V SAB1 = V SAB2 = 0V (Note 6)
C GS = 1000pF, V SAB1 = V SAB2 = 5V (Note 6)
33
2
22
1
30
μ s
μ s
μ s
μ s
kHz
2
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