参数资料
型号: LTC4413EDD-2#PBF
厂商: Linear Technology
文件页数: 5/16页
文件大小: 0K
描述: IC IDEAL DIODE DUAL 10-DFN
标准包装: 121
应用: 手持/移动设备
FET 型: P 沟道
输出数: 2
内部开关:
延迟时间 - 开启: 11µs
延迟时间 - 关闭: 2µs
电源电压: 2.5 V ~ 5.5 V
电流 - 电源: 40µA
工作温度: -40°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 10-WFDFN 裸露焊盘
供应商设备封装: 10-DFN(3x3)
包装: 管件
LTC4413-1/LTC4413-2
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS
R FWD vs V IN and I LOAD = 500mA
V FWD and R FWD vs I LOAD (Linear)
R FWD and V FWD vs I LOAD (Log)
80
500
120°C
250
600
120°C
300
78
80°C
80°C
76
74
72
400
300
40°C
0°C
–40°C
V FWD
200
150
500
400
R FWD
40°C
0°C
–40°C
V FWD
250
200
70
300
150
68
200
100
66
R FWD
200
100
64
100
50
100
50
62
60
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
0
0
500
1000 1500 2000
2500
0
3000
0
1
10
100
1000
0
10000
V IN (V)
V FWD vs I LOAD (Log)
441312 G10
LOAD (mA)
R FWD vs Temperature
441312 G11
LOAD (mA)
I LEAK vs Temperature at
V REVERSE = 5.5V
441312 G12
250
120°C
120
1
80°C
200
150
40°C
0°C
–40°C
100
80
100mA
500mA
0.1
0.01
5.5V
60
1A
100
40
0.001
3.6V
50
20
0.0001
0
1
10
100
1000
10000
0
–40
0
40 80
120
0.00001
–40 –20
0
20
40
60
80
100 120
100
LOAD (mA)
I LEAK vs V REVERSE
441312 G13
TEMPERATURE (°C)
441312 G14
Response to 800mA Load Step
in <16μs
TEMPERATURE (°C)
441312 G15
ENB Turn-On, 30μs to Turn On
with 180mA Load
10
1
120°C
80°C
40°C
0°C
–40°C
CH2 OUT
100mV/DIV
CH1 = IN 100mV/DIV
CH1 IN 1V/DIV
CH3 ENB
1V/DIV
CH2 OUT
1V/DIV
0.1
0.01
0.001
CH4 I OUT
200mV/DIV
CH4 I OUT
200mV/DIV
0.0001
4μs/DIV
441312 G17
10μs/DIV
441312 G18
0.00001
0
1
2
3
4
5
6
V REVERSE (V)
441312 G16
441312fd
5
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