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参数资料
| 型号： | M25P16-VMN3TP |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位统一部门，串行闪存 |
| 文件页数： | 37/55页 |
| 文件大小： | 335K |
| 代理商： | M25P16-VMN3TP |
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M25P16
Initial delivery state
37/55
8
Initial delivery state
The device is delivered with the memory array erased: all bits are set to 1 (each byte
contains FFh). The Status Register contains 00h (all Status Register bits are 0).
9
Maximum rating
Stressing the device above the rating listed in the Absolute Maximum Ratings" table may
cause permanent damage to the device. These are stress ratings only and operation of the
device at these or any other conditions above those indicated in the Operating sections of
this specification is not implied. Exposure to Absolute Maximum Rating conditions for
extended periods may affect device reliability. Refer also to the STMicroelectronics SURE
Program and other relevant quality documents.
Table 9.
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Unit
T
STG
Storage Temperature
–65
150
°C
T
LEAD
Lead temperature during soldering
see
(1)
1.
Compliant with JEDEC Std J-STD-020C (for small body, Sn-Pb or Pb assembly), the ST ECOPACK
7191395 specification, and the European directive on Restrictions on Hazardous Substances (RoHS)
2002/95/EU.
JEDEC Std JESD22-A114A (C1=100 pF, R1=1500
, R2=500
).
°C
V
IO
Input and Output Voltage (with respect to Ground)
–0.6
V
CC
+ 0.6
V
V
CC
Supply Voltage
–0.6
4.0
V
V
ESD
Electrostatic Discharge Voltage (Human Body model)
(2)
2.
–2000
2000
V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M25P16-VMN6G | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25P16-VMN6P | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25P16-VMN6TG | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25P16-VMP3G | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25P16-VMP3P | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M25P16-VMN3TP/4 | 功能描述:IC FLASH 16MBIT 75MHZ 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:Forté™ 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
| M25P16-VMN3TPB | 功能描述:IC SRL FLSH 16MBIT 3V 75MHZ S08N RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:Forté™ 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
| M25P16-VMN3YPB | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE, SERIAL NOR, 16MB - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 16MBIT 75MHZ 8SO |
| M25P16VMN6 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:512 Kbit to 32 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 40 MHz or 50 MHz SPI Bus Interface |
| M25P16-VMN6 | 制造商:NUMONYX 制造商全称:Numonyx B.V 功能描述:16 Mbit, serial Flash memory, 75 MHz SPI bus interface |
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