- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录377802 > M25P16-VMN3TP (意法半导体) 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory PDF资料下载
参数资料
| 型号： | M25P16-VMN3TP |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位统一部门，串行闪存 |
| 文件页数： | 41/55页 |
| 文件大小： | 335K |
| 代理商： | M25P16-VMN3TP |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页当前第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页
M25P16
DC and AC parameters
41/55
Table 16.
AC characteristics (Grade 6,
T9HX (0.11μm) technology
)
(1)
Applies only to products made with T9HX (0.11μm) Technology, identified with Process digit
“4”
(2)
Test conditions specified in
Table 10
and
Table 12
Symbol Alt.
Parameter
Min.
Typ.
(3)
Max.
Unit
f
C
f
C
Clock Frequency for the following instructions:
FAST_READ, PP, SE, BE, DP, RES, WREN,
WRDI, RDID, RDSR, WRSR
D.C.
50
MHz
f
R
Clock Frequency for READ instructions
D.C.
33
MHz
t
CH(4)
t
CL(3)
t
CLCH(5)
t
CHCL(5)
t
CLH
Clock High Time
9
ns
t
CLL
Clock Low Time
Clock Rise Time
(6)
(peak to peak)
9
ns
0.1
V/ns
Clock Fall Time
(6)
(peak to peak)
0.1
V/ns
t
SLCH
t
CSS
S Active Setup Time (relative to C)
5
ns
t
CHSL
S Not Active Hold Time (relative to C)
5
ns
t
DVCH
t
DSU
Data In Setup Time
2
ns
t
CHDX
t
DH
Data In Hold Time
5
ns
t
CHSH
S Active Hold Time (relative to C)
5
ns
t
SHCH
S Not Active Setup Time (relative to C)
5
ns
t
SHSL
t
SHQZ(5)
t
CSH
S Deselect Time
100
ns
t
DIS
Output Disable Time
8
ns
t
CLQV
t
V
Clock Low to Output Valid
8
ns
t
CLQX
t
HO
Output Hold Time
0
ns
t
HLCH
HOLD Setup Time (relative to C)
5
ns
t
CHHH
HOLD Hold Time (relative to C)
5
ns
t
HHCH
HOLD Setup Time (relative to C)
5
ns
t
CHHL
t
HHQX(5)
t
HLQZ(5)
t
WHSL(7)
t
SHWL(7)
t
DP(5)
HOLD Hold Time (relative to C)
5
ns
t
LZ
HOLD to Output Low-Z
8
ns
t
HZ
HOLD to Output High-Z
8
ns
Write Protect Setup Time
20
ns
Write Protect Hold Time
100
ns
S High to Deep Power-down Mode
3
μs
t
RES1(5)
S High to Standby Mode without Electronic
Signature Read
30
μs
t
RES2(5)
S High to Standby Mode with Electronic
Signature Read
30
μs
t
W
Write Status Register Cycle Time
1.3
15
ms
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M25P16-VMN6G | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25P16-VMN6P | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25P16-VMN6TG | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25P16-VMP3G | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25P16-VMP3P | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M25P16-VMN3TP/4 | 功能描述:IC FLASH 16MBIT 75MHZ 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:Forté™ 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
| M25P16-VMN3TPB | 功能描述:IC SRL FLSH 16MBIT 3V 75MHZ S08N RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:Forté™ 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
| M25P16-VMN3YPB | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE, SERIAL NOR, 16MB - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 16MBIT 75MHZ 8SO |
| M25P16VMN6 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:512 Kbit to 32 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 40 MHz or 50 MHz SPI Bus Interface |
| M25P16-VMN6 | 制造商:NUMONYX 制造商全称:Numonyx B.V 功能描述:16 Mbit, serial Flash memory, 75 MHz SPI bus interface |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。