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参数资料
| 型号： | M28W160ECT90ZB6U |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 18-fold ESD transient voltage suppressor - C<sub>d</sub> max.: 120 pF; I<sub>RM</sub> max: 2A; Number of protected lines: 18 ; P<sub>PP</sub> max: 0 W; V<sub>BR</sub> typ.: 6.8 V; V<sub>RWM</sub>: 5.25 V |
| 中文描述： | 16兆位（1兆x16插槽，引导块）3V电源快闪记忆体 |
| 文件页数： | 6/50页 |
| 文件大小： | 860K |
| 代理商： | M28W160ECT90ZB6U |
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M28W160ECT, M28W160ECB
6/50
Figure 2. Logic Diagram
Table 1. Signal Names
Figure 3. TSOP Connections
AI07542
20
A0-A19
W
DQ0-DQ15
VDD
M28W160ECT
M28W160ECB
E
VSS
16
G
RP
WP
VDDQVPP
A0-A19
Address Inputs
DQ0-DQ15
Data Input/Output
E
Chip Enable
G
Output Enable
W
Write Enable
RP
Reset
WP
Write Protect
V
DD
Core Power Supply
V
DDQ
Power Supply for Input/Output
V
PP
Optional Supply Voltage for
Fast Program & Erase
V
SS
Ground
NC
Not Connected Internally
DQ3
DQ10
DQ9
DQ1
DQ2
A6
A5
DQ0
G
VSS
W
RP
A3
A2
A1
NC
NC
DQ6
DQ13
DQ5
A8
A9
A17
A7
A10
DQ14
DQ12
DQ4
DQ15
DQ7
VDD
DQ11
VPP
WP
A19
A18
AI07543
M28W160ECT
M28W160ECB
12
13
1
24
25
36
37
48
DQ8
A4
A12
A11
A13
A16
VDDQ
VSS
A15
A14
E
A0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M28W160B-GBT | 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
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| M28W160BT90ZB1T | 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M28W160BT90ZB6T | 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M28W160ECB70N1E | 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| M28W160FSB70ZA6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:1MX16 NOR FLASH PLASTIC PBF TB 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PARALLEL NOR - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 16MBIT 70NS TBGA |
| M28W160FST70ZA6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PARALLEL NOR - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 16MBIT 70NS TBGA |
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| M28W320CB100GB6 | 功能描述:闪存 32M (2Mx16) 100ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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