型号: | M28W800BT10N1T |
厂商: | 意法半导体 |
英文描述: | 8 Mbit 512Kb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
中文描述: | 8兆位512KB的x16插槽,启动块3V电源快闪记忆体 |
文件页数: | 15/49页 |
文件大小: | 369K |
代理商: | M28W800BT10N1T |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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M28W800BT | 8 Mbit 512Kb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
M28W800BB85ZB1T | 8 Mbit 512Kb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
M28W800BT85ZB1T | 8 Mbit 512Kb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
M293B1 | EPM 32 ELECTRONIC PROGRAM MEMORY FOR 32 STATIONS |
M295V002T-120XP1TR | 2 Mbit 256Kb x8, Boot Block Single Supply Flash Memory |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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M28W800BT90N6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 8MBIT 512KX16 90NS 48TSOP - Trays |
M28W800CB90N1 | 功能描述:闪存 8M (512Kx16) 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
M28W800CB90N6 | 功能描述:闪存 8M (512Kx16) 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
M28W800CB90N6T | 功能描述:闪存 8M (512Kx16) 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
M28W800CT70N6 | 功能描述:闪存 8M (512Kx16) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |