参数资料
型号: M29W200BT120N6E
厂商: 意法半导体
英文描述: 2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory
中文描述: 2兆位(256Kb的x8或128KB的x16插槽,引导块)低电压单电源闪存
文件页数: 19/22页
文件大小: 175K
代理商: M29W200BT120N6E
19/22
M29W200BT, M29W200BB
Table 19. TSOP48 - 48 lead Plastic Thin Small Outline, 12 x 20mm, Package Mechanical Data
Symbol
millimeters
inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
1.200
0.0472
A1
0.100
0.050
0.150
0.0039
0.0020
0.0059
A2
1.000
0.950
1.050
0.0394
0.0374
0.0413
B
0.220
0.170
0.270
0.0087
0.0067
0.0106
C
0.100
0.210
0.0039
0.0083
CP
0.100
0.0039
D1
12.000
11.900
12.100
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E
20.000
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E1
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18.300
18.500
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e
0.500
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L
0.600
0.500
0.700
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L1
0.800
0.0315
a
3
0
5
3
0
5
Figure 12. TSOP48 - 48 lead Plastic Thin Small Outline, 12 x 20mm, Package Outline
Drawing is not to scale.
TSOP-a
D1
E
1
N
CP
B
e
A2
A
N/2
D
DIE
C
L
A1
α
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PDF描述
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参数描述
M29W200BT55N1 功能描述:闪存 256Kx8 or 128Kx16 55 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
M29W200BT70M1 功能描述:闪存 256Kx8 or 128Kx16 70 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
M29W200BT70N1 功能描述:闪存 256Kx8 or 128Kx16 70 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
M29W200BT70N6E 功能描述:IC FLASH 2MBIT 70NS 48TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M(8Mx32) 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA(8x13) 包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2
M29W200BT90N6 功能描述:闪存 256Kx8 or 128Kx16 90 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel