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参数资料
| 型号： | M29W200BT120N6E |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 2兆位（256Kb的x8或128KB的x16插槽，引导块）低电压单电源闪存 |
| 文件页数： | 21/22页 |
| 文件大小： | 175K |
| 代理商： | M29W200BT120N6E |
21/22
M29W200BT, M29W200BB
Table 21. Revision History
Date
Revision
Number
Revision Details
July 1999
First Issue
03/30/00
Status Register bit DQ5 clarification
Data Polling Flowchart diagram change (Figure 4)
Data Toggle Flowchart diagram change (Figure 5)
Program/Erase Times Maximum specification added (Table 9)
07/28/00
Document Type: from Preliminary Data to Data Sheet
19-Sep-2005
4.0
Table 18: Ordering Information Scheme: standard package added and
ECOPACK version added for both standard package and Tape & Reel packing.
TSOP48 and SO44 Mechanical Data updated.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29W200BT120N6F | 2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| M29W200BT55M1 | 2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| M29W200BT55M1E | 2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| M29W200BT55M1F | 2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| M29W200BT70N6F | 2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M29W200BT55N1 | 功能描述:闪存 256Kx8 or 128Kx16 55 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W200BT70M1 | 功能描述:闪存 256Kx8 or 128Kx16 70 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W200BT70N1 | 功能描述:闪存 256Kx8 or 128Kx16 70 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W200BT70N6E | 功能描述:IC FLASH 2MBIT 70NS 48TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13） 包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2 |
| M29W200BT90N6 | 功能描述:闪存 256Kx8 or 128Kx16 90 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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