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参数资料
| 型号： | M58BW016DB90ZA3FT |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 512K X 32 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA80 |
| 封装： | 10 X 12 MM, 1 MM PITCH, LBGA-80 |
| 文件页数： | 27/63页 |
| 文件大小： | 901K |
| 代理商： | M58BW016DB90ZA3FT |
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Figure 9. Asynchronous Bus Read AC Waveforms
Table 16. Asynchronous Bus Read AC Characteristics.
Note: 1. Output Enable G may be delayed up to tELQV - tGLQV after the falling edge of Chip Enable E without increasing tELQV.
Symbol
Parameter
Test Condition
M58BW016
Unit
80
90
100
tAVAV
Address Valid to Address Valid
E = VIL, G = VIL
Min
80
90
100
ns
tAVQV
Address Valid to Output Valid
E = VIL, G = VIL
Max
80
90
100
ns
tAXQX
Address Transition to Output Transition
E = VIL, G = VIL
Min
0
ns
tEHLX
Chip Enable High to Latch Enable Transition
Min
0
ns
tEHQX
Chip Enable High to Output Transition
G = VIL
Min
0
ns
tEHQZ
Chip Enable High to Output Hi-Z
G = VIL
Max
20
ns
tELQV
(1)
Chip Enable Low to Output Valid
G = VIL
Max
80
90
100
ns
tELQX
Chip Enable Low to Output Transition
G = VIL
Min
0
ns
tGHQX
Output Enable High to Output Transition
E = VIL
Min
0
ns
tGHQZ
Output Enable High to Output Hi-Z
E = VIL
Max
15
ns
tGLQV
Output Enable Low to Output Valid
E = VIL
Max
25
ns
tGLQX
Output Enable to Output Transition
E = VIL
Min
0
ns
tLLEL
Latch Enable Low to Chip Enable Low
Min
0
ns
AI0440 C
E
G
L
A0-A18
DQ0-DQ31
VALID
tLLEL
tAXQX
tELQX
tELQV
tAVQV
tGLQX
tGLQV
tEHQX
tEHQZ
tGHQX
tGHQZ
See also Page Read
OUTPUT
tEHLX
tAVAV
GD
AI04407C
E
G
L
A0-A18
DQ0-DQ31
VALID
tLLEL
tAXQX
tELQX
tELQV
tAVQV
tGLQX
tGLQV
tEHQX
tEHQZ
tGHQX
tGHQZ
See also Page Read
OUTPUT
tEHLX
tAVAV
GD
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M58BW016DB80ZA6F | 512K X 32 FLASH 3V PROM, 80 ns, PBGA80 |
| M58LW032A | 32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memory |
| M58LW032A110N1T | 32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memory |
| M58LW032A110N6T | 32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memory |
| M58LW032A110ZA1T | 32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memory |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M58BW016DB90ZA3T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58BW016DB90ZA6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58BW016DBT | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58BW016DBZA | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58BW016DT | 制造商:NUMONYX 制造商全称:Numonyx B.V 功能描述:16 Mbit (512 Kbit x 32, boot block, burst) 3 V supply Flash memories |
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