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参数资料
| 型号： | M58WR032FT60ZB6T |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 2M X 16 FLASH 1.8V PROM, 60 ns, PBGA56 |
| 封装： | 7.70 X 9 MM, 0.75 MM PITCH, VFBGA-56 |
| 文件页数： | 29/86页 |
| 文件大小： | 1516K |
| 代理商： | M58WR032FT60ZB6T |
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Obsolete
Product(s)
- Obsolete
Product(s)
35/86
M58WR032FT, M58WR032FB
Table 13. Lock Status
Note: 1. The lock status is defined by the write protect pin and by DQ1 (‘1’ for a locked-down block) and DQ0 (‘1’ for a locked block) as read
in the Read Electronic Signature command with A1 = VIH and A0 = VIL.
2. All blocks are locked at power-up, so the default configuration is 001 or 101 according to WP status.
3. A WP transition to VIH on a locked block will restore the previous DQ0 value, giving a 111 or 110.
Current
Protection Status(1)
(WP, DQ1, DQ0)
Next Protection Status(1)
(WP, DQ1, DQ0)
Current State
Program/Erase
Allowed
After
Block Lock
Command
After
Block Unlock
Command
After Block
Lock-Down
Command
After
WP transition
1,0,0
yes
1,0,1
1,0,0
1,1,1
0,0,0
1,0,1(2)
no
1,0,1
1,0,0
1,1,1
0,0,1
1,1,0
yes
1,1,1
1,1,0
1,1,1
0,1,1
1,1,1
no
1,1,1
1,1,0
1,1,1
0,1,1
0,0,0
yes
0,0,1
0,0,0
0,1,1
1,0,0
0,0,1(2)
no
0,0,1
0,0,0
0,1,1
1,0,1
0,1,1
no
0,1,1
1,1,1 or 1,1,0 (3)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M58WR064EBZB | 64 Mbit 4Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| M58WR032FT70ZB6E | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit (2Mb x 16, Multiple Bank, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M58WR032FT70ZB6F | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit (2Mb x 16, Multiple Bank, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M58WR032FT70ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit (2Mb x 16, Multiple Bank, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M58WR032FT80ZB6 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit (2Mb x 16, Multiple Bank, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
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