- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录229296 > M93C76-WDS6G (STMICROELECTRONICS) 512 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | M93C76-WDS6G |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 512 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| 封装： | 3 X 3 MM, ROHS COMPLIANT, TSSOP-8 |
| 文件页数： | 19/38页 |
| 文件大小： | 348K |
| 代理商： | M93C76-WDS6G |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页当前第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页
DC and AC parameters
M93C86, M93C76, M93C66, M93C56, M93C46
tSLQZ
tDF
Chip Select low to output Hi-Z
100
ns
tCHQL
tPD0
Delay to output low
200
ns
tCHQV
tPD1
Delay to output valid
200
ns
tW
tWP
Erase or Write cycle time
5
ms
1.
Chip Select Input (S) must be brought low for a minimum of tSLSH between consecutive instruction cycles.
2.
tCHCL + tCLCH ≥ 1 / fC.
Table 22.
AC characteristics (M93Cx6-W, device grade 3)
Symbol
Alt.
Parameter
Min.
Max.
Unit
fC
fSK
Clock frequency
D.C.
2
MHz
tSLCH
Chip Select low to Clock high
50
ns
tSHCH
tCSS
Chip Select set-up time
50
ns
tSLSH
(1)
1.
Chip Select Input (S) must be brought low for a minimum of tSLSH between consecutive instruction cycles.
tCS
Chip Select low to Chip Select high
200
ns
tCHCL
(2)
2.
tCHCL + tCLCH ≥ 1 / fC.
tSKH
Clock high time
200
ns
tCLCH
tSKL
Clock low time
200
ns
tDVCH
tDIS
Data in set-up time
50
ns
tCHDX
tDIH
Data in hold time
50
ns
tCLSH
tSKS
Clock set-up time (relative to S)
50
ns
tCLSL
tCSH
Chip Select hold time
0
ns
tSHQV
tSV
Chip Select to READY/BUSY status
200
ns
tSLQZ
tDF
Chip Select low to output Hi-Z
100
ns
tCHQL
tPD0
Delay to output low
200
ns
tCHQV
tPD1
Delay to output valid
200
ns
tW
tWP
Erase or Write cycle time
5
ms
Table 21.
AC characteristics (M93Cx6-W, device grade 6)
Test conditions specified in Table 13. and Table 10.
Symbol
Alt.
Parameter
Min.
Max.
Unit
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ML1I-65656V-100SHXXX | 32K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, CDIP28 |
| MLCP-65656V-100/883 | 32K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, CDIP28 |
| ML1I-65656L-80/883:D | 32K X 8 STANDARD SRAM, 80 ns, CDIP28 |
| MLCP-65656L-85 | 32K X 8 STANDARD SRAM, 85 ns, CDIP28 |
| MM1K-67132V-35:D | 2K X 8 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, CDIP48 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M93C-76WDS7P | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:16Kbit, 8Kbit, 4Kbit, 2Kbit and 1Kbit (8-bit or 16-bit wide) MICROWIRE Serial Access EEPROM |
| M93C76-WMN3TP/S | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:EEPROM Serial-Microwire 8K-bit 1K x 8/512 x 16 3.3V/5V 8-Pin SO N T/R |
| M93C76-WMN6 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 8K (1Kx8 or 512x16) RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| M93C-76WMN6P | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:16Kbit, 8Kbit, 4Kbit, 2Kbit and 1Kbit (8-bit or 16-bit wide) MICROWIRE Serial Access EEPROM |
| M93C76-WMN6P | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 16 Kbit 8 Kbit 4Kbit 2 Kbit and 1 Kbit RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。