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参数资料
| 型号： | MAX9981EVKIT |
| 厂商： | Maxim Integrated |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | EVAL KIT FOR MAX9981 |
| 产品培训模块： | Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | 混频器 |
| 频率： | 825MHz ~ 915MHz |
| 适用于相关产品： | MAX9981 |
| 已供物品： | 板 |
MAX9981 Evaluation Kit
POWER SUPPLY
(AG E3631A)
BENCH MULTIMETER
(HP 34401A)
5.0V 500mA (MAX)
291mA
(AMMETER)
OPEN = LO1
GND = LO2
RF SIGNAL GENERATOR
RF SPECTRUM ANALYZER
(HP 8648B)
+5V
GND
LOSEL
(HP 8561x)
870.000MHz
50 ?
RFMAIN
U1
MAX9981
IFMAIN
50 ?
3dB
RFDIV
LO1
LO2
IFDIV
3dB
3dB
3dB
RF POWER METER
(GIGA 80701A, HP 437B)
RF SIGNAL GENERATOR
(HP 8648B)
770.000MHz
RF SIGNAL GENERATOR
(HP 8648B)
771.000MHz
RF HIGH-
POWER SENSOR
Figure 2. MAX9981 EV Kit Diversity Mixer Test Setup Diagram
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MAX9982ETP+D | IC MIXER HI LINEAR SIGE 20-TQFN |
| MAX9982EVKIT | EVAL KIT FOR MAX9982 |
| MAX9984ETP+T | IC MIXER DOWN CONV 20-TQFN |
| MAX9985ETX+T | IC MIXER DOWN CONV DUAL 36-TQFN |
| MAX9985EVKIT# | KIT EVAL FOR MAX9985 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MAX9982ETP | 功能描述:射频混合器 825-915MHz Dual SiGe Active Mixer RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 频率范围: 转换损失——最大: 工作电源电压:6 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube |
| MAX9982ETP+ | 功能描述:射频混合器 825-915MHz Dual SiGe Active Mixer RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 频率范围: 转换损失——最大: 工作电源电压:6 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube |
| MAX9982ETP+D | 功能描述:射频混合器 825-915MHz Dual SiGe Active Mixer RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 频率范围: 转换损失——最大: 工作电源电压:6 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube |
| MAX9982ETP+T | 功能描述:射频混合器 825-915MHz Dual SiGe Active Mixer RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 频率范围: 转换损失——最大: 工作电源电压:6 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube |
| MAX9982ETP+TD | 功能描述:射频混合器 825-915MHz Dual SiGe Active Mixer RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 频率范围: 转换损失——最大: 工作电源电压:6 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube |
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