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参数资料
| 型号： | MAX9981EVKIT |
| 厂商： | Maxim Integrated |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | EVAL KIT FOR MAX9981 |
| 产品培训模块： | Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | 混频器 |
| 频率： | 825MHz ~ 915MHz |
| 适用于相关产品： | MAX9981 |
| 已供物品： | 板 |
MAX9981 Evaluation Kit
1.0"
Figure 4. MAX9981 EV Kit PC Board Layout—Top Silkscreen
1.0"
Figure 6. MAX9981 EV Kit PC Board Layout—Top Layer Metal
1.0"
Figure 5. MAX9981 EV Kit PC Board Layout—Top Soldermask
1.0"
Figure 7. MAX9981 EV Kit PC Board Layout—Inner Layer 2
(GND)
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7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MAX9982ETP+D | IC MIXER HI LINEAR SIGE 20-TQFN |
| MAX9982EVKIT | EVAL KIT FOR MAX9982 |
| MAX9984ETP+T | IC MIXER DOWN CONV 20-TQFN |
| MAX9985ETX+T | IC MIXER DOWN CONV DUAL 36-TQFN |
| MAX9985EVKIT# | KIT EVAL FOR MAX9985 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MAX9982ETP | 功能描述:射频混合器 825-915MHz Dual SiGe Active Mixer RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 频率范围: 转换损失——最大: 工作电源电压:6 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube |
| MAX9982ETP+ | 功能描述:射频混合器 825-915MHz Dual SiGe Active Mixer RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 频率范围: 转换损失——最大: 工作电源电压:6 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube |
| MAX9982ETP+D | 功能描述:射频混合器 825-915MHz Dual SiGe Active Mixer RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 频率范围: 转换损失——最大: 工作电源电压:6 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube |
| MAX9982ETP+T | 功能描述:射频混合器 825-915MHz Dual SiGe Active Mixer RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 频率范围: 转换损失——最大: 工作电源电压:6 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube |
| MAX9982ETP+TD | 功能描述:射频混合器 825-915MHz Dual SiGe Active Mixer RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 频率范围: 转换损失——最大: 工作电源电压:6 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube |
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