- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录377893 > MB85317A-70 (Fujitsu Limited) CMOS 4M×72Bit Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM)(CMOS 4M×73位 同步动态RAM) PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MB85317A-70 |
| 厂商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 4M×72Bit Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM)(CMOS 4M×73位 同步动态RAM) |
| 中文描述： | 4米× 72Bit的CMOS同步动态随机存取存储器（SDRAM）的CMOS（4分× 73位同步动态RAM）的 |
| 文件页数： | 12/13页 |
| 文件大小： | 201K |
| 代理商： | MB85317A-70 |
12
MB85317A-60/MB85317A-70
I
PACKAGE DIMENSIONS
(Suffix: PTPBK)
168 pin, Plastic DIMM
(MDS-168P-P04)
+0.10
+.004
4.00(.157)MAX
Details of "A" part
1.00±0.05(.039±.002)
6.35±0.13(.250±.005)
2.00±0.10(.079±.004)
C
3.00(.118)
3.25(.128)
(.250±.005)
6.35±0.13
1.00±0.05(.039±.002)
2.00±0.10(.079±.004)
4.00(.157)MIN
Details of "B" part
0.25(.010)MAX
2.54(.100)TYP
L
3.00(.118)
3.25(.128)
Details of "C" part
(.039±.002)
1.00±0.05
"C"
3.17±0.13
"B"
"A"
NOTCHES FULL R
(.700±.005)
17.78±0.13
1.27
.050
Pin No.1 INDEX
127.35±0.10(5.014±.004)
115.57±0.13(4.550±.005)
54.61±0.05(2.150±.002)
(.050±.001)
1.27±0.03
L
C
(.450±.005)
11.43±0.05
63.68±0.13(2.507±.005)
43.18±0.13(1.700±.005)
(1.450±.002)
36.83±0.05
(.125±.005)
(1.000±.005)
25.40±0.13
(.118±.005)
3.00±0.13
(.118±.002)
3.00±0.05
(.157±.005)
4.00±0.13
3.00(.118)MIN
Component area
and 4.00 notch
133.35±0.13(5.250±.005)
131.35±0.13(5.171±.005)
C
L
66.68±0.13(2.625±.005)
65.68±0.13(2.586±.005)
1
8
1
84
1994 FUJITSU LIMITED M168004SC-1-1
C
Dimensions in mm(inches).
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MB85341C-60 | CMOS 1M×32 BIT Hyper Page Mode DRAM Module(CMOS 1M×32位超级页面存取模式动态RAM模块) |
| MB85341C-70 | CMOS 1M×32 BIT Hyper Page Mode DRAM Module(CMOS 1M×32位超级页面存取模式动态RAM模块) |
| MB85342C-60 | CMOS 2M×32 BIT Hyper Page Mode DRAM Module(CMOS 2M×32位超级页面存取模式动态RAM模块) |
| MB85342C-70 | CMOS 2M×32 BIT Hyper Page Mode DRAM Module(CMOS 2M×32位超级页面存取模式动态RAM模块) |
| MB85343C-60 | CMOS 1M×32 BIT Hyper Page Mode DRAM Module(CMOS 1M×32位超级页面存取模式动态RAM模块) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MB85AS4MTPF-G-BCERE1 | 功能描述:IC RERAM 4MBIT 5MHZ 8SOP 制造商:fujitsu electronics america, inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 技术:ReRAM（电阻式 RAM） 存储容量:4Mb （512K x 8） 时钟频率:5MHz 写周期时间 - 字，页:17ms 存储器接口:SPI 电压 - 电源:1.65 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽） 供应商器件封装:8-SOP 标准包装:1 |
| MB85R1001 | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:1 M Bit (128 K 】 8) |
| MB85R1001_08 | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:1 M Bit (128 K 】 8) |
| MB85R1001_09 | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:Memory FRAM CMOS 1 M Bit (128 K × 8) |
| MB85R1001A | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:Memory FRAM CMOS 1 M Bit (128 K x 8) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。