参数资料
型号: MB85317A-70
厂商: Fujitsu Limited
英文描述: CMOS 4M×72Bit Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM)(CMOS 4M×73位 同步动态RAM)
中文描述: 4米× 72Bit的CMOS同步动态随机存取存储器(SDRAM)的CMOS(4分× 73位同步动态RAM)的
文件页数: 5/13页
文件大小: 201K
代理商: MB85317A-70
5
MB85317A-60/MB85317A-70
(Continued)
Pin No.
MB85317A
Pin No.
MB85317A
Pin No.
MB85317A
Pin No.
MB85317A
141
DQ
58
148
NC
155
DQ
66
162
V
SS
142
DQ
59
149
DQ
61
156
DQ
67
163
PD
2
143
V
CC
150
DQ
62
157
V
CC
164
PD
4
144
DQ
60
151
DQ
63
158
DQ
68
165
PD
6
145
NC
152
V
SS
159
DQ
69
166
PD
8
146
NC
153
DQ
64
160
DQ
70
167
ID
1
147
NC
154
DQ
65
161
DQ
71
168
V
CC
相关PDF资料
PDF描述
MB85341C-60 CMOS 1M×32 BIT Hyper Page Mode DRAM Module(CMOS 1M×32位超级页面存取模式动态RAM模块)
MB85341C-70 CMOS 1M×32 BIT Hyper Page Mode DRAM Module(CMOS 1M×32位超级页面存取模式动态RAM模块)
MB85342C-60 CMOS 2M×32 BIT Hyper Page Mode DRAM Module(CMOS 2M×32位超级页面存取模式动态RAM模块)
MB85342C-70 CMOS 2M×32 BIT Hyper Page Mode DRAM Module(CMOS 2M×32位超级页面存取模式动态RAM模块)
MB85343C-60 CMOS 1M×32 BIT Hyper Page Mode DRAM Module(CMOS 1M×32位超级页面存取模式动态RAM模块)
相关代理商/技术参数
参数描述
MB85AS4MTPF-G-BCERE1 功能描述:IC RERAM 4MBIT 5MHZ 8SOP 制造商:fujitsu electronics america, inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 技术:ReRAM(电阻式 RAM) 存储容量:4Mb (512K x 8) 时钟频率:5MHz 写周期时间 - 字,页:17ms 存储器接口:SPI 电压 - 电源:1.65 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.209",5.30mm 宽) 供应商器件封装:8-SOP 标准包装:1
MB85R1001 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:1 M Bit (128 K 】 8)
MB85R1001_08 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:1 M Bit (128 K 】 8)
MB85R1001_09 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:Memory FRAM CMOS 1 M Bit (128 K × 8)
MB85R1001A 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:Memory FRAM CMOS 1 M Bit (128 K x 8)