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参数资料
| 型号： | MB85341C-70 |
| 厂商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 1M×32 BIT Hyper Page Mode DRAM Module(CMOS 1M×32位超级页面存取模式动态RAM模块) |
| 中文描述： | 的CMOS 100万× 32位的超页模式内存的CMOS（100万× 32位超级页面存取模式动态内存模块） |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 416K |
| 代理商： | MB85341C-70 |
5
MB85341C-60/-70
Notes:
*1.
Referenced to V
SS
.
I
CC
depends on the output load conditions and cycle rate. The specific values are obtained with the
output open.
I
CC
depends on the number of address change as RAS = V
IL
and CAS = V
IH
, V
IL
> –0.3 V.
I
CC1
, I
CC3
and I
CC5
are specified at one time of address change during RAS = V
IL
and CAS = V
IH
.
I
CC4
is specified at one time of address change during one Page cycle.
*2.
I
CAPACITANCE
(T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz)
Max.
Parameter
Symbol
Typ.
Unit
Input Capacitance, A
0
to A
9
C
IN1
—
61
pF
Input Capacitance, RAS0 and RAS2
C
IN2
—
34
pF
Input Capacitance, CAS0 to CAS3
C
IN3
—
23
pF
Input Capacitance, WE
C
IN4
—
55
pF
Input/Output Capacitance, DQ
0
to DQ
31
C
DQ
—
11
pF
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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