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参数资料
| 型号： | MB85341C-70 |
| 厂商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 1M×32 BIT Hyper Page Mode DRAM Module(CMOS 1M×32位超级页面存取模式动态RAM模块) |
| 中文描述： | 的CMOS 100万× 32位的超页模式内存的CMOS（100万× 32位超级页面存取模式动态内存模块） |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 416K |
| 代理商： | MB85341C-70 |
6
MB85341C-60/-70
I
AC CHARACTERISTICS
(At recommended operating conditions unless otherwise noted.) Notes 1, 2, 3
(Continued)
No.
Parameter
Notes
Symbol
MB85341C-60
MB85341C-70
Unit
Min.
Max.
Min.
Max.
1
Time Between Refresh
t
REF
—
16.4
—
16.4
ms
2
Random Read/Write Cycle Time
t
RC
110
—
125
—
ns
3
Access Time from RAS
*4,7
t
RAC
—
60
—
70
ns
4
Access Time from CAS
*5,7
t
CAC
—
15
—
20
ns
5
Column Address Access Time
*6,7
t
AA
—
30
—
35
ns
6
Output Hold Time
t
OH
0
—
0
—
ns
7
Output Buffer Turn on Delay Time
t
ON
0
—
0
—
ns
8
Output Buffer Turn off Delay Time
*8
t
OFF
—
15
—
15
ns
9
Transition Time
t
T
2
50
2
50
ns
10
RAS Precharge Time
t
RP
40
—
45
—
ns
11
RAS Pulse Width
t
RAS
60
100000
70
100000
ns
12
RAS Hold Time
t
RSH
15
—
20
—
ns
13
CAS to RAS Precharge Time
t
CRP
0
—
0
—
ns
14
RAS to CAS Delay Time
*9,10
t
RCD
20
45
20
50
ns
15
CAS Pulse Width
t
CAS
15
10000
20
10000
ns
16
CAS Hold Time
t
CSH
60
—
70
—
ns
17
CAS Precharge Time (Normal)
*15
t
CPN
10
—
10
—
ns
18
Row Address Set Up Time
t
ASR
0
—
0
—
ns
19
Row Address Hold Time
t
RAH
10
—
10
—
ns
20
Column Address Set Up Time
t
ASC
0
—
0
—
ns
21
Column Address Hold Time
t
CAH
12
—
12
—
ns
22
RAS to Column Address Delay Time
*11
t
RAD
15
30
15
35
ns
23
Column Address to RAS Lead Time
t
RAL
30
—
35
—
ns
24
Column Address to CAS Lead Time
t
CAL
30
—
35
—
ns
25
Read Command Set Up Time
t
RCS
0
—
0
—
ns
26
Read Command Hold Time
Referenced to RAS
*12
t
RRH
0
—
0
—
ns
27
Read Command Hold Time
Referenced to CAS
*12
t
RCH
0
—
0
—
ns
28
Write Command Set Up Time
*13
t
WCS
0
—
0
—
ns
39
Write Command Hold Time
t
WCH
10
—
10
—
ns
30
WE Pulse Width
t
WP
10
—
10
—
ns
31
Write Command to RAS Lead Time
t
RWL
15
—
18
—
ns
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PDF描述 |
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参数描述 |
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