参数资料
型号: MB85502-015
厂商: FUJITSU LTD
元件分类: DRAM
英文描述: CMOS 8M×36Bit Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM)(CMOS 8M×36位 同步动态RAM)
中文描述: 8M X 36 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 14 ns, PZMA72
文件页数: 3/10页
文件大小: 236K
代理商: MB85502-015
3
MB85502-012/MB85502-015
PLANE 0
PLANE 1
CLK
A
0
to A
11
RAS
CAS
WE
DQM
0
CKE
0
CS
0
DQM
1
CKE
1
CS
1
DQ
5
DQ
7
DQ
3
DQ
1
DQ
4
DQ
6
DQ
2
DQ
8
DQ
11
DQ
12
DQ
10
DQ
9
DQ
14
DQ
15
DQ
13
DQ
16
DQ
18
DQ
19
DQ
17
DQ
23
DQ
26
DQ
27
DQ
24
DQ
20
DQ
22
DQ
25
DQ
21
DQ
28
DQ
32
DQ
35
DQ
30
DQ
29
DQ
33
DQ
34
DQ
31
SN74LVT162244 DGG
(built-in damping resistor)
4M
×
4
chip 0
DQ
0
CLK-RTN
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
DQM
CKE
CS
CLK
RAS
CAS WE
A
0
to A
11
DQ
DQ
DQ
DQ
4M
×
4
chip 9
CLK
DQ
DQ
DQ
DQM
CKE
CS
RAS
CAS WE
A
0
to A
11
4M
×
4
chip 1
DQM
CKE
CS
CLK
RAS
CAS WE
A
0
to A
11
DQ
DQ
DQ
DQ
4M
×
4
chip 10
CLK
DQ
DQ
DQ
DQM
CKE
CS
RAS
CAS WE
A
0
to A
11
4M
×
4
chip 2
DQM
CKE
CS
CLK
RAS
CAS WE
A
0
to A
11
DQ
DQ
DQ
DQ
4M
×
4
chip 11
CLK
DQ
DQ
DQ
DQM
CKE
CS
RAS
CAS WE
A
0
to A
11
4M
×
4
chip 3
DQM
CKE
CS
CLK
RAS
CAS WE
A
0
to A
11
DQ
DQ
DQ
DQ
4M
×
4
chip 12
CLK
DQ
DQ
DQ
DQM
CKE
CS
RAS
CAS WE
A
0
to A
11
4M
×
4
chip 4
DQM
CKE
CS
CLK
RAS
CAS WE
A
0
to A
11
DQ
DQ
DQ
DQ
4M
×
4
chip 13
CLK
DQ
DQ
DQ
DQM
CKE
CS
RAS
CAS WE
A
0
to A
11
4M
×
4
chip 5
DQM
CKE
CS
CLK
RAS
CAS WE
A
0
to A
11
DQ
DQ
DQ
DQ
4M
×
4
chip 14
CLK
DQ
DQ
DQ
DQM
CKE
CS
RAS
CAS WE
A
0
to A
11
4M
×
4
chip 6
DQM
CKE
CS
CLK
RAS
CAS WE
A
0
to A
11
DQ
DQ
DQ
DQ
4M
×
4
chip 15
CLK
DQ
DQ
DQ
DQM
CKE
CS
RAS
CAS WE
A
0
to A
11
4M
×
4
chip 7
DQM
CKE
CS
CLK
RAS
CAS WE
A
0
to A
11
DQ
DQ
DQ
DQ
4M
×
4
chip 16
CLK
DQ
DQ
DQ
DQM
CKE
CS
RAS
CAS WE
A
0
to A
11
4M
×
4
chip 8
DQM
CKE
CS
CLK
RAS
CAS WE
A
0
to A
11
DQ
DQ
DQ
DQ
4M
×
4
chip 17
CLK
DQ
DQ
DQ
DQM
CKE
CS
RAS
CAS WE
A
0
to A
11
相关PDF资料
PDF描述
MB85R1002 Memory FRAM
MB85R1002PFTN Memory FRAM
MB86290A Graphics Controller Hardware Specifications
MB86291A Graphics Display Controller
MB86291APFVS Graphics Display Controller
相关代理商/技术参数
参数描述
MB85AS4MTPF-G-BCERE1 功能描述:IC RERAM 4MBIT 5MHZ 8SOP 制造商:fujitsu electronics america, inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 技术:ReRAM(电阻式 RAM) 存储容量:4Mb (512K x 8) 时钟频率:5MHz 写周期时间 - 字,页:17ms 存储器接口:SPI 电压 - 电源:1.65 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.209",5.30mm 宽) 供应商器件封装:8-SOP 标准包装:1
MB85R1001 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:1 M Bit (128 K 】 8)
MB85R1001_08 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:1 M Bit (128 K 】 8)
MB85R1001_09 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:Memory FRAM CMOS 1 M Bit (128 K × 8)
MB85R1001A 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:Memory FRAM CMOS 1 M Bit (128 K x 8)