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参数资料
| 型号： | MB85R1002PFTN |
| 厂商： | FUJITSU LTD |
| 元件分类： | 存储器 |
| 英文描述： | Memory FRAM |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 12.40 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48 |
| 文件页数： | 9/12页 |
| 文件大小： | 157K |
| 代理商： | MB85R1002PFTN |
MB85R1002
9
3.
Write Cycle Timing 1
(CE1, CE2 Control)
4.
Write Cycle Timing 1 (WE Control)
CE1
CE2
t
CA2
t
CA1
t
WC
t
PC
t
DH
A0 to A15
WE
Data In
OE
Valid
t
AH
t
AS
Valid
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WS
t
WP
t
DS
LB, UB
t
BS
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BP
CE1
CE2
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WE
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LB, UB
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MB85R2001 | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:Memory FRAM CMOS 2 M Bit (256 K × 8) |
| MB85R2001_08 | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:Memory FRAM CMOS 2 M Bit (256 K 】 8) |
| MB85R2001_09 | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:Memory FRAM CMOS 2 M Bit (256 K × 8) |
| MB85R2001PFTN-GE1 | 制造商:FUJITSU 功能描述:IC FRAM 2MBIT 256KX8 TSOP48 |
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