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参数资料
| 型号： | MB85R256FPF-G-BNDE1 |
| 厂商： | Fujitsu Semiconductor America Inc |
| 文件页数： | 4/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FRAM 256KBIT 150NS 28SOP |
| 特色产品： | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | FRAM（Ferroelectric RAM） |
| 存储容量： | 256K (32K x 8) |
| 速度： | 150ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 28-SOIC（0.342"，8.69mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 28-SOP |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 865-1171 |
MB85R256F
■ BLOCK DIAGRAM
A 14 to A 10
Block decoder
A 14 to A 0
Address
latch
A 7 to A 0
Row
decoder
FRAM array:
32,768 × 8
CE
A 8 , A 9
Column decoder
WE
Control logic
OE
■ FUNCTION LIST
I/O latch bus
driver
to
I/O0-I/O7 I/O 0
Operation mode
CE
WE
OE
I/O 0 to I/O 7
Power supply current
H
×
×
Standby precharge
×
×
L
H
L
H
Hi-Z
Standby
(I SB )
L
Latch address
H
L
?
?
L
H
Write
Read
L
L
L
H
H
L
Data input
Data output
Operation (I CC )
H: High level, L: Low level, × : Irrespective of “H” or “L”
4
DS501-00011-1v0-E
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