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参数资料
| 型号： | MB85R256FPF-G-BNDE1 |
| 厂商： | Fujitsu Semiconductor America Inc |
| 文件页数： | 8/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FRAM 256KBIT 150NS 28SOP |
| 特色产品： | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | FRAM（Ferroelectric RAM） |
| 存储容量： | 256K (32K x 8) |
| 速度： | 150ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 28-SOIC（0.342"，8.69mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 28-SOP |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 865-1171 |
MB85R256F
■ TIMING DIAGRAM
1. Read cycle (CE Control)
t RC
CE
t PC
t CA
t PC
A 14 to A 0
t AS
Valid
t AH
t AS
Valid
t AH
t RC
OE
t PC
t OE
t RP
t PC
t OHZ
I/O 7 to I/O 0
Valid
High-Z
Valid
High-Z
WE
: Don't care.
2. Read cycle (OE Control)
t PC
CE
t CE
“H” level
t RC
t CA
t HZ
t PC
A 14 to A 0
t AS
Valid
t AH
t AS
Valid
t AH
t RC
OE
t PC
t OE
t RP
t PC
t OHZ
I/O 7 to I/O 0
Valid
High-Z
Valid
High-Z
8
WE
: Don't care.
t CE
“H” level
t HZ
DS501-00011-1v0-E
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