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参数资料
| 型号： | MB85R256FPF-G-BNDE1 |
| 厂商： | Fujitsu Semiconductor America Inc |
| 文件页数： | 9/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FRAM 256KBIT 150NS 28SOP |
| 特色产品： | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | FRAM（Ferroelectric RAM） |
| 存储容量： | 256K (32K x 8) |
| 速度： | 150ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 28-SOIC（0.342"，8.69mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 28-SOP |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 865-1171 |
MB85R256F
3. Write cycle (CE Control)
t W C
CE
t PC
t CA
t PC
A 14 to A 0
t AS
Valid
t AH
t AS
Valid
t AH
t WH
t PC
t WS
t WC
t WH
t PC
t WS
WE
t WP
Data In
OE
t DS
Valid
t DH
“H” level
t DS
Valid
t DH
: Don't care.
4. Write cycle (WE Control)
t W C
CE
t PC
t CA
t PC
A 14 to A 0
t AS
Valid
t AH
t AS
Valid
t AH
t WH
t PC
t WS
t WC
t WH
t PC
t WS
WE
t WP
Data In
t DS
Valid
t DH
t DS
Valid
t DH
OE
“H” level
: Don't care.
DS501-00011-1v0-E
9
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