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参数资料
| 型号： | MB95F262KPF-G-SNE2 |
| 厂商： | Fujitsu Semiconductor America Inc |
| 文件页数： | 43/87页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MCU 8BIT 8KB FLASH 20SOP |
| 标准包装： | 1,400 |
| 系列： | 8FX MB95260H |
| 核心处理器： | F²MC-8FX |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 16MHz |
| 连通性： | LIN，SIO，UART/USART |
| 外围设备： | LVD，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 16 |
| 程序存储器容量： | 8KB（8K x 8） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 240 x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2.4 V ~ 5.5 V |
| 数据转换器： | A/D 6x8/10b |
| 振荡器型： | 外部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 865-1209 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页当前第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页
dsPIC30F2010
DS70118J-page 52
2011 Microchip Technology Inc.
7.3.2
WRITING A BLOCK OF DATA
EEPROM
To write a block of data EEPROM, write to all sixteen
latches first, then set the NVMCON register and
program the block.
EXAMPLE 7-5:
DATA EEPROM BLOCK WRITE
7.4
Write Verify
Depending on the application, good programming
practice may dictate that the value written to the mem-
ory should be verified against the original value. This
should be used in applications where excessive writes
can stress bits near the specification limit.
7.5
Protection Against Spurious Write
There are conditions when the device may not want to
write to the data EEPROM memory. To protect against
spurious EEPROM writes, various mechanisms have
been built-in. On power-up, the WREN bit is cleared;
also, the Power-up Timer prevents EEPROM write.
The write initiate sequence and the WREN bit together
help prevent an accidental write during brown-out,
power glitch or software malfunction.
MOV
#LOW_ADDR_WORD,W0
; Init pointer
MOV
#HIGH_ADDR_WORD,W1
MOV
W1,TBLPAG
MOV
#data1,W2
; Get 1st data
TBLWTL
W2,[ W0]++
; write data
MOV
#data2,W2
; Get 2nd data
TBLWTL
W2,[ W0]++
; write data
MOV
#data3,W2
; Get 3rd data
TBLWTL
W2,[ W0]++
; write data
MOV
#data4,W2
; Get 4th data
TBLWTL
W2,[ W0]++
; write data
MOV
#data5,W2
; Get 5th data
TBLWTL
W2,[ W0]++
; write data
MOV
#data6,W2
; Get 6th data
TBLWTL
W2,[ W0]++
; write data
MOV
#data7,W2
; Get 7th data
TBLWTL
W2,[ W0]++
; write data
MOV
#data8,W2
; Get 8th data
TBLWTL
W2,[ W0]++
; write data
MOV
#data9,W2
; Get 9th data
TBLWTL
W2,[ W0]++
; write data
MOV
#data10,W2
; Get 10th data
TBLWTL
W2,[ W0]++
; write data
MOV
#data11,W2
; Get 11th data
TBLWTL
W2,[ W0]++
; write data
MOV
#data12,W2
; Get 12th data
TBLWTL
W2,[ W0]++
; write data
MOV
#data13,W2
; Get 13th data
TBLWTL
W2,[ W0]++
; write data
MOV
#data14,W2
; Get 14th data
TBLWTL
W2,[ W0]++
; write data
MOV
#data15,W2
; Get 15th data
TBLWTL
W2,[ W0]++
; write data
MOV
#data16,W2
; Get 16th data
TBLWTL
W2,[ W0]++
; write data. The NVMADR captures last table access address.
MOV
#0x400A,W0
; Select data EEPROM for multi word op
MOV
W0,NVMCON
; Operate Key to allow program operation
DISI
#5
; Block all interrupts with priority <7 for next 5 instructions
MOV
#0x55,W0
MOV
W0,NVMKEY
; Write the 0x55 key
MOV
#0xAA,W1
MOV
W1,NVMKEY
; Write the 0xAA key
BSET
NVMCON,#WR
; Start write cycle
NOP
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