参数资料
型号: MBC13900NT1
厂商: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: LEAD FREE, ULTRA SMALL, PLASTIC, CASE 318M-01, SC-70, 4 PIN
文件页数: 10/24页
文件大小: 691K
代理商: MBC13900NT1
Applications Information
MBC13900 Technical Data, Rev. 1.1
18
Freescale Semiconductor
5.0
0.425
99
2.493
8
0.117
20
0.348
-68
15
0.1
0.723
-22
32.706
163
0.006
79
0.949
-9
0.5
0.487
-88
19.861
116
0.021
60
0.695
-26
0.9
0.373
-127
12.612
96
0.031
55
0.556
-32
1.0
0.355
-134
11.492
92
0.033
55
0.555
-32
1.5
0.317
-164
7.867
77
0.044
53
0.494
-34
1.9
0.312
177
6.309
67
0.053
52
0.460
-37
2.0
0.315
173
6.004
65
0.055
51
0.454
-37
2.4
0.327
159
5.044
56
0.064
48
0.429
-41
3.0
0.354
142
4.069
44
0.078
43
0.390
-47
3.5
0.371
128
3.507
35
0.089
38
0.384
-52
4.0
0.383
116
3.073
25
0.099
33
0.376
-57
4.5
0.400
105
2.757
16
0.109
27
0.361
-61
5.0
0.427
95
2.500
7
0.120
21
0.341
-65
20
0.1
0.660
-27
37.408
160
0.006
79
0.933
-10
0.5
0.430
-98
20.678
112
0.021
60
0.672
-27
0.9
0.343
-137
12.691
93
0.030
59
0.548
-31
1.0
0.335
-144
11.493
89
0.032
59
0.526
-31
1.5
0.313
-172
7.854
75
0.044
57
0.479
-33
1.9
0.317
171
6.249
66
0.052
55
0.450
-34
2.0
0.318
168
5.963
64
0.055
54
0.446
-35
2.4
0.332
155
4.996
55
0.065
51
0.421
-38
3.0
0.365
140
4.042
43
0.080
45
0.381
-44
3.5
0.379
127
3.486
34
0.090
40
0.366
-50
4.0
0.393
115
3.068
25
0.102
34
0.356
-55
4.5
0.411
105
2.747
16
0.112
29
0.342
-61
5.0
0.434
94
2.492
6
0.123
23
0.324
-66
Table 7. Common Emitter S-Parameters (continued)
VCE
(Vdc)
IC
(mA)
f
(GHz)
S11
S21
S12
S22
|S11|
∠ φ
|S21|
∠ φ
|S12|
∠ φ
|S22|
∠ φ
相关PDF资料
PDF描述
MBC13900T1 L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MBR2060CT-E1 10 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
MBT3906DW1T2 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MBT3904DW1T2 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MBT3906DW1T3 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
MBC13900T1 功能描述:IC TRANS NPN RF LOW NOISE SC70-4 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数(dB典型值@频率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA,3V 电流 - 集电极 (Ic)(最大):45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD,扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR
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