参数资料
型号: MBC13900NT1
厂商: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: LEAD FREE, ULTRA SMALL, PLASTIC, CASE 318M-01, SC-70, 4 PIN
文件页数: 7/24页
文件大小: 691K
代理商: MBC13900NT1
Applications Information
MBC13900 Technical Data, Rev. 1.1
Freescale Semiconductor
15
4.0
0.414
120
2.907
25
0.103
29
0.345
-59
4.5
0.434
109
2.613
16
0.113
25
0.328
-65
5.0
0.453
98
2.374
6
0.124
18
0.307
-69
15
0.1
0.708
-25
32.559
161
0.007
83
0.938
-10
0.5
0.480
-94
19.200
115
0.024
58
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-29
0.9
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-133
11.991
94
0.033
54
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-34
1.0
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-141
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-36
1.9
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-37
2.0
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64
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-38
2.4
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0.069
47
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-41
3.0
0.392
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43
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42
0.349
-47
3.5
0.403
129
3.324
33
0.095
37
0.336
-52
4.0
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24
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31
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-57
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-63
5.0
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5
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20
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-32
1.0
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-32
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-34
1.9
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167
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64
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54
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-35
2.0
0.357
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-39
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-45
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32
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-51
4.0
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23
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32
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-56
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13
0.119
27
0.295
-61
5.0
0.475
94
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4
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20
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-66
3.0
1.0
0.1
0.970
-7
3.745
175
0.007
86
0.999
-3
0.5
0.949
-31
3.341
154
0.034
73
0.989
-12
Table 7. Common Emitter S-Parameters (continued)
VCE
(Vdc)
IC
(mA)
f
(GHz)
S11
S21
S12
S22
|S11|
∠ φ
|S21|
∠ φ
|S12|
∠ φ
|S22|
∠ φ
相关PDF资料
PDF描述
MBC13900T1 L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MBR2060CT-E1 10 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
MBT3906DW1T2 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MBT3904DW1T2 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MBT3906DW1T3 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
MBC13900T1 功能描述:IC TRANS NPN RF LOW NOISE SC70-4 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数(dB典型值@频率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA,3V 电流 - 集电极 (Ic)(最大):45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD,扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR
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