- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录88 > MBD101G (ON Semiconductor)DIODE SCHTTKY 7V LW NOISE TO92-2 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MBD101G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 59K |
| 描述： | DIODE SCHTTKY 7V LW NOISE TO92-2 |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 02/Jan/2007 |
| 标准包装： | 5,000 |
| 二极管类型： | 肖特基 - 单 |
| 电压 - 峰值反向(最大)： | 7V |
| 电容@ Vr, F： | 1pF @ 0V，1MHz |
| 功率耗散（最大）： | 280mW |
| 封装/外壳： | TO-226-2，TO-92-2（TO-226AC） |
| 供应商设备封装： | TO-92 |
| 包装： | 散装 |
MBD101, MMBD101LT1
http://onsemi.com
3
PACKAGE DIMENSIONS
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. CONTOUR OF PACKAGE BEYOND ZONE R IS
UNCONTROLLED.
4. LEAD DIMENSION IS UNCONTROLLED IN P AND
BEYOND DIMENSION K MINIMUM.
A
L
K
B
R
P
D
H
G
XX
SEATINGPLANE
12
V
N
C
N
SECTION X?X
D
J
DIM MIN MAX MIN MAX
INCHESMILLIMETERS
A0.175 0.205 4.45 5.21
B0.170 0.210 4.32 5.33
C0.125 0.165 3.18 4.19
D0.016 0.021 0.407 0.533
G
0.050 BSC 1.27 BSC
H
0.100 BSC 2.54 BSC
J
0.014 0.016 0.36 0.41
K
0.500 ??? 12.70 ???
L
0.250 ??? 6.35 ???
N
0.080 0.105 2.03 2.66
P
??? 0.050 ??? 1.27
R
0.115 ??? 2.93 ???
V
0.135 ??? 3.43 ???
STYLE 1:
PIN 1. ANODE
2. CATHODE
TO?92 TWO LEAD
TO?226AC
CASE 182?06
ISSUE L
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBD110DWT1G | DIODE SCHOTTKY DUAL 7V SOT-363 |
| MBD54DWT1G | DIODE SCHOTTKY DUAL 30V SOT-363 |
| MBR10100CTP | DIODE SCHOTTKY 10A 100V TO220-3 |
| MBR1060CT | DIODE SCHOTTKY 10A 60V TO220-3 |
| MBR1090CT-E3/45 | DIODE SCHOTT 10A 90V DUAL TO220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBD110DWT1 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 7V 120mW Dual RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBD110DWT1_07 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Dual Schottky Barrier Diodes |
| MBD110DWT1G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 7V 120mW Dual Isolated RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBD110DWT1G_07 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Dual Schottky Barrier Diodes |
| MBD110DWT1G_12 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Dual Schottky Barrier Diodes |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。