- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录88 > MBD110DWT1G (ON Semiconductor)DIODE SCHOTTKY DUAL 7V SOT-363 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MBD110DWT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 103K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY DUAL 7V SOT-363 |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 02/Jan/2007 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 二极管类型： | 肖特基 - 2 个独立式 |
| 电压 - 峰值反向(最大)： | 7V |
| 电容@ Vr, F： | 1pF @ 0V，1MHz |
| 功率耗散（最大）： | 120mW |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SOT-363 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MBD110DWT1G, MBD330DWT1G
http://onsemi.com
4
TYPICAL CHARACTERISTICS
MBD330DWT1G
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Total Capacitance
IF, FORWARD CURRENT (mA)
Figure 7. Minority Carrier Lifetime
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 8. Reverse Leakage
VF, FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
Figure 9. Forward Voltage
KRAKAUER METHOD
f = 1.0 MHz
, FORWARD CURRENT (mA)
I
F
, REVERSE LEAKAGE ( A)
I
R
0.1
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
0.001
0 6.0 12 18 24
10
1.0
0.1
0.01
0
020406010 30 50 70 9080 100
500
0
0 3.0 6.0 9.0 12 15 2118
2.8
30
24 27
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
100
10
1.0
30
400
300
200
100
0.4
, MINORITY CARRIER LIFETIME (ps)
, TOTAL CAPACITANCE (pF)
C
T
TA
= -
°C
TA
= 85
°C
TA
= 25
°C
TA
= 100
°C
TA
= 75
°C
TA
= 25
°C
MBD330DWT1G
MBD330DWT1G
MBD330DWT1G
MBD330DWT1G
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBD54DWT1G | DIODE SCHOTTKY DUAL 30V SOT-363 |
| MBR10100CTP | DIODE SCHOTTKY 10A 100V TO220-3 |
| MBR1060CT | DIODE SCHOTTKY 10A 60V TO220-3 |
| MBR1090CT-E3/45 | DIODE SCHOTT 10A 90V DUAL TO220 |
| MBR10H100CTG | DIODE SCHOTTKY 10A 100V TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBD110DWT1G_07 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Dual Schottky Barrier Diodes |
| MBD110DWT1G_12 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Dual Schottky Barrier Diodes |
| MBD14 | 功能描述:ACCY MOUNT BMM 3/4" TFX RoHS:是 类别:RF/IF 和 RFID >> RF配件 系列:* 标准包装:1 系列:* |
| MBD-153-AL | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Low TCR, 1mW Dual Rejustor⑩ Micro-Resistor |
| MBD-153-KL | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Low TCR, 1mW Dual Rejustor⑩ Micro-Resistor |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。