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参数资料
| 型号： | MBD54DWT1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 130K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY DUAL 30V SOT363 |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 27/Jun/2007 |
| 标准包装： | 10 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 100mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 2µA @ 25V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 200mA（DC） |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 反向恢复时间(trr)： | 5ns |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 2 个独立式 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SOT-363 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | MBD54DWT1OSCT |
MBD54DWT1G
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA
= 25
°C unless otherwise noted) (EACH DIODE)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Reverse Breakdown Voltage (IR
= 10
A)
V(BR)R
30
?
?
V
Total Capacitance (VR
= 1.0 V, f = 1.0 MHz)
CT
?
7.6
10
pF
Reverse Leakage (VR
= 25 V)
IR
?
0.5
2.0
Adc
Forward Voltage (IF
= 0.1 mAdc)
VF
?
0.22
0.24
Vdc
Forward Voltage (IF
= 30 mAdc)
VF
?
0.41
0.5
Vdc
Forward Voltage (IF
= 100 mAdc)
VF
?
0.52
1.0
Vdc
Reverse Recovery Time (IF
= I
R
= 10 mAdc, I
R(REC)
= 1.0 mAdc)
(Figure 1)
trr
?
?
5.0
ns
Forward Voltage (IF
= 1.0 mAdc)
VF
?
0.29
0.32
Vdc
Forward Voltage (IF
= 10 mAdc)
VF
?
0.35
0.40
Vdc
Forward Current (DC)
IF
?
?
200
mAdc
Repetitive Peak Forward Current
IFRM
?
?
300
mAdc
Non?Repetitive Peak Forward Current (t < 1.0 s)
IFSM
?
?
600
mAdc
Notes: 1. A 2.0 k
variable resistor adjusted for a Forward Current (I
F) of 10 mA.
Notes: 2. Input pulse is adjusted so IR(peak)
is equal to 10 mA.
Notes: 3. tp
? t
rr
+10 V
2 k
820
0.1 F
DUT
VR
100 H
0.1 F
50
OUTPUT
PULSE
GENERATOR
50
INPUT
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
tr
tp
t
10%
90%
IF
IR
trr
t
iR(REC)
= 1 mA
OUTPUT PULSE
(IF
= I
R
= 10 mA; measured
at iR(REC)
= 1 mA)
IF
INPUT SIGNAL
Figure 1. Recovery Time Equivalent Test Circuit
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BAV74LT1 | DIODE SWITCH DUAL CC 50V SOT23 |
| 396-062-540-201 | CARD EDGE 62POS DL .125X.250 BLK |
| BAV70LT1 | DIODE SWITCH DUAL CC 70V SOT23 |
| BAT54ALT1 | DIODE SCHOTTKY DET/SW 30V SOT23 |
| 396-062-526-804 | CARD EDGE 62POS DL .125X.250 BLK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBD54DWT1D | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Dual Schottky Barrier Diodes |
| MBD54DWT1G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 30V 150mW Dual Isolated RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBD54DWT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Schottky Rectifier |
| MBD54DWT1G_09 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Dual Schottky Barrier Diodes |
| MBD5A | 功能描述:基本/快动开关 SPST-NO OFF-MOM 10A 250VAC 274gf RoHS:否 制造商:Omron Electronics 触点形式:SPDT 执行器:Lever 电流额定值:5 A 电压额定值 AC:250 V 电压额定值 DC:30 V 功率额定值: 工作力:120 g IP 等级:IP 67 NEMA 额定值: 端接类型:Wire 安装:Panel |
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