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参数资料
| 型号： | MBD54DWT1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 130K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY DUAL 30V SOT363 |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 27/Jun/2007 |
| 标准包装： | 10 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 100mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 2µA @ 25V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 200mA（DC） |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 反向恢复时间(trr)： | 5ns |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 2 个独立式 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SOT-363 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | MBD54DWT1OSCT |
MBD54DWT1G
http://onsemi.com
3
100
0.1
0.0 0.1
VF, FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
0.2 0.3 0.4
0.5
10
1.0
85°C
10
0.001
0
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
1.0
0.1
0.01
510152025
14
0
0
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
12
4
2
C
T
, TOTAL CAPACITANCE (pF)
51015 3020
25
I
F
, FORWARD CURRENT (mA)
Figure 2. Forward Voltage Figure 3. Leakage Current
Figure 4. Total Capacitance
-°C
25°C
TA
= 150
°C
TA
= 125
°C
TA
= 85
°C
TA
= 25
°C
I
R
, REVERSE CURRENT (
μ
A)
0.6
-°C
1°C
1°C
100
1000
30
6
8
10
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BAV74LT1 | DIODE SWITCH DUAL CC 50V SOT23 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBD54DWT1D | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Dual Schottky Barrier Diodes |
| MBD54DWT1G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 30V 150mW Dual Isolated RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBD54DWT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Schottky Rectifier |
| MBD54DWT1G_09 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Dual Schottky Barrier Diodes |
| MBD5A | 功能描述:基本/快动开关 SPST-NO OFF-MOM 10A 250VAC 274gf RoHS:否 制造商:Omron Electronics 触点形式:SPDT 执行器:Lever 电流额定值:5 A 电压额定值 AC:250 V 电压额定值 DC:30 V 功率额定值: 工作力:120 g IP 等级:IP 67 NEMA 额定值: 端接类型:Wire 安装:Panel |
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